Verfahren zur Herstellung einer dielektrischen Antifuse-Struktur

摘要

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer dieletrischen Antifuse-Struktur (1) in einem integrierten Schaltkreis. Die antifuse-Struktur (1) wird in ein Kontaktloch (15) in einer Oxidschicht (4) eingearbeitet und weist eine dielektrische Schicht (9) auf, die zwischen einer ersten leitenden Schicht (8a) und einer zweiten leitenden Schicht (8b) angeordnet ist.