| 摘要 |
<p>본 발명은 고주파 스위치 제조방법에 관한 것으로, 종래에는 희생층과 절연층의 증착두께에 따른 Con/Coff의 비를 증가시키는데 한계가 있고, 또한 요구되는 구동전압이 30V 이상으로 무선통신에 응용할 수 없는 문제점이 있었다. 따라서, 본 발명은 실리콘기판의 상부에 스퍼터링공정을 적용하여 하부전극으로 사용할 제1금속물질을 형성하는 공정과; 상기 제1금속물질이 형성된 실리콘기판의 상부에 희생층을 형성하는 공정과; 상기 희생층이 형성된 실리콘기판의 상부에 상부전극 및 멤브레인으로 사용할 수 있으며, 상기 제1금속물질에 비해 산화가 잘 되지 않는 제2금속물질을 형성하는 공정과; 상기 희생층을 식각하여 에어 갭을 형성하는 공정과; 상기 구조물을 산화시켜 에어 갭 상에 노출된 제1금속물질의 표면에 절연막을 형성하는 공정으로 이루어지는 고주파 스위치 제조방법을 통해 비 유전율이 40인 TiO막 또는 CrO막을 300Å 정도의 두께로 형성하여 절연층으로 사용함에 따라 Con/Coff의 비를 종래에 비해 20배 이상 증가시켜 무선통신에 적용이 가능하고, 상대적으로 희생층의 두께를 얇게 하여 Con/Coff의 비를 200 정도로 줄이게 되면 구동전압을 낮출수 있게 되며, 종래에 비해 마스크공정을 1회 줄일 수 있게 되어 제조비용을 줄이고 수율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.</p> |
