Semiconductor memory device capable of easily distinguishing location of defective memory cell by testing selectively block redundancy memory cell block

摘要

리던던시 메모리 셀 블락을 선택적으로 차단하여 테스트함으로써 불량 메모리 셀의 위치 판별이 용이한 반도체 메모리 장치가 개시된다. 본 발명은 복수개의 메모리 셀들로 구성되는 메인 메모리 셀 블락 내 메모리 셀들 중 결함 셀들을 구제하기 위하여 여분의 메모리 셀들로 대체하는 리던던시 메모리 셀 블락을 갖는 반도체 메모리 장치에 있어서, 메인 메모리 셀 블락 및 리던던시 메모리 셀 블락을 테스트하는 노멀 모드 테스트와, 결함 셀을 대체한 리던던시 메모리 셀 블락을 선택적으로 차단하여 테스트하는 리던던시 차단 모드 테스트를 채용하여, 노멀 모드 테스트 결과 나타나는 불량 메모리 셀의 위치가 리던던시 차단 모드 테스트를 통하여 메인 메모리 블락에서 발생된 것인지 아니면 리던던시 메모리 셀 블락에서 발생된 것인지를 용이하게 판별한다.