发明名称 Semiconductor memory device having test mode in which automic refresh can be controlled by external address and automatic refresh mehtod thereof
摘要 <p>테스트 모드의 자동 리프레쉬 동작시 외부에서 인가되는 외부 어드레스에 의해 워드라인들이 엑세스될 수 있으며 메인셀들과 예비셀들이 모두 엑세스되어 리프레쉬될 수 있는 동기식 디램 및 이의 자동 리프레쉬 방법이 개시된다. 상기 동기식 디램에서는 모드 레지스터 셋팅 회로가, 테스트 모드의 자동 리프레쉬 동작시, 복수개의 제어신호들에 응답하여 외부에서 인가되는 신호를 받아 모드 레지스터 셋트 신호를 발생한다. 어드레스 선택기가, 상기 테스트 모드의 자동 리프레쉬 동작시에는 상기 모드 레지스터 셋트 신호의 활성화에 응답하여 외부에서 인가되는 외부 어드레스를 선택하여 메모리셀 어레이로 출력하고, 정상 모드의 자동 리프레쉬 동작시에는 상기 모드 레지스터 셋트 신호의 비활성화에 응답하여 내부 어드레스를 선택하여 상기 메모리셀 어레이로 출력한다. 따라서 상기 테스트 모드의 자동 리프레쉬 동작시에는 상기 외부 어드레스에 의해 제어되어 상기 메모리셀 어레이의 메인셀들의 워드라인들과 상기 메모리셀 어레이의 예비셀들의 워드라인들이 순차적으로 엑세스되어 리프레쉬된다.</p>
申请公布号 KR100319886(B1) 申请公布日期 2002.01.10
申请号 KR19990016002 申请日期 1999.05.04
申请人 null, null 发明人 이만중;최만식
分类号 G06F12/16;G06F12/00;G11C7/10;G11C11/401;G11C11/406;G11C29/00;G11C29/04;G11C29/08;G11C29/24 主分类号 G06F12/16
代理机构 代理人
主权项
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