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Eine oberflächenemittierende Halbleiterlaservorrichtung, die folgendes umfasst: eine Schichtstruktur, in der eine licht-emittierende Schicht zwischen einem Paar von Reflexionsschichtstrukturen angeordnet wird, die mittels Hetero-Übergangs einer Vielzahl an Halbleitermaterialien gebildet wird, wobei die Schichtstruktur auf einem Substrat ausgebildet wird und eine Störstelle in die Reflexionsschichtstruktur dotiert wird; wobei in der Reflexionsschichtstruktur die Dotierungsdichte der Störstelle in einen in der Nähe der licht-emittierenden Schicht befindlichen Bereich relativ kleiner ist als die Dotierungsdichte der Störstelle in von der licht-emittierenden Schicht entfernten Bereichen; und wobei gleichzeitig in der Reflexionsschichtstruktur der in der Nähe der licht-emittierenden Schicht befindliche Bereich über eine relativ kleinere Energie-Abstand-Differenz DELTAEg zwischen den den Bereich bildenden Halbleitermaterialien verfügt als die Energie-Abstand-Differenz DELTAEg zwischen den die anderen Bereiche bildenden Halbleitermaterialien, und wobei die Steuerspannung ohne Verschlechterung der optischen Ausgangsleistungseigenschaften reduziert werden kann.
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