| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체기판의 상부에 제1도전층을 형성하는 공정과; 상기 제1도전층이 형성된 구조물의 상부전면에 노광감도가 서로 다른 제1,제2감광막을 적층 형성한 후, 전자빔 또는 이온빔의 노광량 조절을 통해 노광 및 현상하여 반도체기판과 제1도전층의 단차가 형성된 영역 상부에는 제1감광막의 패턴을 형성하고, 상기 제1감광막 패턴과 이격되는 제1도전층 및 반도체기판 상부에는 제1,제2감광막의 적층된 패턴을 형성하는 공정과; 상기 제1,제2감광막의 패턴이 형성된 구조물의 상부전면에 제2도전층을 형성한 후, 제1,제2감광막의 패턴을 제거하는 공정으로 이루어지는 반도체소자의 다층배선 접속방법을 제공함으로써, 간단한 공정을 통해 제1,제2도전층의 단선에 따른 신뢰성저하를 방지할 수 있고, 이를 이용한 스트라이프 채널 고전자 이동 트랜지스터의 제조방법을 제공함으로써, 채널이 형성되지 않은 영역에서 게이트금속층이 에어-브리지영역을 통해 반도체기판 및 채널과 선택적으로 이격되도록 함에 따라 기생 커패시턴스가 최소화되어 주파수특성이 향상되는 효과가 있다.</p> |
