| 摘要 |
<p>본 발명은 P-n-i-p-N진행파형 전계 흡수 광 변조기에 관한 것이다. 진행파형 전계 흡수 광 변조기(TW-EAM)에 있어서 중요한 요소로 마이크로웨이브와 광 파 사이의 속도 정합을 들 수 있다. 소자의 대역폭을 결정 짓는 중요한 요소이며, 여기서 광 파의 속도는 광을 가이드 하기 위해 사용한 물질에 의해 속도가 결정이 되므로 마이크로웨이브의 속도를 광 파의 속도에 정합 되도록 해야 한다. 기존 소자의 경우, 마이크로웨이브의 속도 정합을 위해 고려할 수 있는 설계 파라미터로는 진성 영역(i-층)의 두께, 소자 혹은 신호 전극의 폭과 두께, 신호 전극과 접지 전극간의 간격 등이며, 이런 파라미터를 조정해서 얻을 수 있는 속도 정합에는 그 한계가 있다. 이에 반하여 본 발명의 P-n-i-p-N진행파형 전계 흡수 광 변조기는 도핑차에 의해 형성된 P-n층 사이의 공핍층과 p-N층 사이의 공핍층에 의해 전체 커패시턴스 값이 감소되어 마이크로웨이브의 위상속도()를 증가시키는 효과를 가져온다. 또한 형성된 공핍층은 바이어스에 의해 조정이 가능하다. 따라서, 진행파형 전계 흡수 광 변조기(TW-EAM)에서 마이크로웨이브와 광 파의 속도 정합이 이루어지게 하여 변조 신호의 선형성을 개선하여 소자의 대역폭을 향상시킬 수 있다.</p> |
