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<p>고유전체막을 채택하는 반도체소자의 커패시터 및 그 제조방법이 개시된다. 본 발명은 도전막 및 열적으로 안정한 물질막을 서로 번갈아가면서 형성한 후 이들 도전막 및 열적으로 안정한 물질막을 소정의 형태로 패터닝함으로써, 서로 중첩되는 적어도 2개의 도전막 패턴들로 구성되는 스토리지 전극 및 각 도전막 패턴들 사이에 개재된 열적으로 안정한 물질막 패턴을 형성한다. 이에 따라, 스토리지 전극 상에 고유전체막을 형성하기 위한 열처리 공정 또는 후속의 고온 열처리 공정시 스토리지 전극이 변형되거나 부러지는 현상을 억제시킬 수 있다.</p> |
