| 摘要 |
<p>이방성 패시트를 갖는 도전성 물질막을 구비하는 반도체 장치 및 그 제조방법이 개시되어 있다. 본 발명은 기판, 상기 기판 상에 형성된 게이트 적층물, 상기 게이트 적층물의 측면에 형성된 게이트 스페이서 및 상기 게이트 적층물 사이의 기판 상에 도전성 물질막을 구비하는 반도체 장치에 있어서, 상기 도전성 물질막은 상기 게이트 적층물에 수직한 방향의 패시트는 적고 상기 게이트 적층물에 평행한 방향의 패시트는 큰 것을 특징으로 하는 이방성 패시트(facet)를 갖는 물질막을 구비하는 반도체 장치 및 그 제조방법을 제공한다. 이와 같이 상기 도전성 물질막은 이방성 패시트를 갖기 때문에 그 사이의 종횡비가 작아진다. 따라서, 후속 도전성 물질막 사이를 채우는 층간 절연막 매립공정에서 상기 도전성 물질막 사이의 층간 절연막에 씸(seam)과 같은 결함이 형성되는 것을 방지할 수 있고 그 결과 반도체 장치의 수율을 높일 수 있는 잇점이 있다.</p> |
