| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체 소자의 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 반도체 기판 내에 트랜치를 형성하는 공정과; 상기 트랜치의 내벽에 절연막을 형성하는 공정과; 상기 트랜치의 내부가 충진되도록 게이트 전극을 형성하는 공정과; 상기 게이트 전극과 상기 절연막 상에 게이트 산화막을 형성하는 공정과; 상기 게이트 산화막의 일부와 상기 반도체 기판 상에 제1실리콘막을 형성하는 공정과; 상기 제1실리콘막이 형성되지 않은 게이트 산화막 상에 제2실리콘막을 형성하는 공정을 순차적으로 실시하여 반도체 소자의 트랜지스터를 제조함으로써, 채널길이를 제어하여 소자에 대한 모델링이 용이하고 양산성이 증가되는 반도체 소자의 트랜지스터를 제공하고자 한다.</p> |
