| 发明名称 | 衰减相移掩模及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种单层膜结构的衰减相移掩模及其制作方法。该衰减相移掩模由基片上的光致抗蚀剂膜层构成同时满足衰减率和相移度要求的单层膜。其制作方法是将光致抗蚀剂均匀涂敷在玻璃或石英等透明基片上,成为衰减相移膜层,从而制成单层膜结构的衰减相移掩模基板;再对基板曝光、显影、清洗、烘干后制成有图形的实用衰减相移掩模。该衰减相移掩模结构简单,制作容易,成本低。采用该衰减相移掩模可显著提高光刻分辨力。 | ||
| 申请公布号 | CN1330287A | 申请公布日期 | 2002.01.09 |
| 申请号 | CN00113046.3 | 申请日期 | 2000.06.21 |
| 申请人 | 中国科学院光电技术研究所 | 发明人 | 候德胜;冯伯儒;孙方;张锦 |
| 分类号 | G03F7/00;H01L21/027 | 主分类号 | G03F7/00 |
| 代理机构 | 中国科学院成都专利事务所 | 代理人 | 张一红;王庆理 |
| 主权项 | 1.一种衰减相移掩模，其特征为以基片上的光致抗蚀剂膜层构成单层膜结构。这种单层膜结构的光致抗蚀剂膜层对入射光同时起衰减和相移的作用，光致抗蚀剂膜层的厚度应满足的条件为：使入射光的透过率为5～20％；相移度为180度或其奇数倍。 | ||
| 地址 | 610209四川省双流350信箱 | ||