| 发明名称 | 半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 用单一的药液除去全部A1布线工序等中的抗蚀剂残渣。作为抗蚀剂除去或抗蚀剂残渣除去的处理液,使用含有有机酸或其盐和水且pH值小于8的药液。 | ||
| 申请公布号 | CN1330402A | 申请公布日期 | 2002.01.09 |
| 申请号 | CN01103488.2 | 申请日期 | 2001.02.07 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社;花王株式会社 | 发明人 | 村中诚志;菅野至;代田真美;近藤纯二 |
| 分类号 | H01L21/768;H01L21/28;G03F7/32 | 主分类号 | H01L21/768 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 杨凯;叶恺东 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：在衬底上的基底层上形成铝膜的工序；通过使用抗蚀剂的照相制版从上述铝膜形成铝膜图形的工序；以及继上述铝膜图形的形成之后，利用含有有机酸或其盐和水且pH值小于8的药液除去上述抗蚀剂的工序。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||