| 发明名称 | 半导体器件和半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 通过提高栅氧化膜的膜质量降低漏电流来提高可靠性的半导体器件的制造方法。在半导体衬底11上形成隧道氧化膜12,在隧道氧化膜12上形成成为浮栅的多晶硅膜13。在多晶硅膜13上形成用CVD法制成的硅氧化膜14后,在氧化性气氛中进行热处理。在硅氧化膜14上形成硅氮化膜15,在硅氮化膜15上用CVD法形成硅氧化膜16。在氧化性气氛中进行热处理,进一步在硅氧化膜16上形成多晶硅膜17。 | ||
| 申请公布号 | CN1330393A | 申请公布日期 | 2002.01.09 |
| 申请号 | CN01121865.7 | 申请日期 | 2001.06.29 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 甲斐徹哉;笠井良夫;角田弘昭;萩原裕之;小林英行 |
| 分类号 | H01L21/285;H01L21/314;H01L21/324;H01L21/8239 | 主分类号 | H01L21/285 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.半导体器件的制造方法，其特征是它具备：在半导体衬底上形成硅膜的工序，在上述硅膜上用CVD法形成第1硅氧化膜的工序，和通过在氧化性气氛中对上述硅膜和上述硅氧化膜进行热处理，使上述硅氧化膜致密化，同时在上述硅膜和上述硅氧化膜之间形成热氧化膜的工序。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||