Electronic Components With Doped Metal Oxide Dielectric Materials And A Process For Making Electronic Components With Doped Metal Oxide Dielectric Materials

摘要

도프된 금속 산화물 유전 물질과 이러한 물질로 만들어진 전자 소자들이 기재되어 있다. 금속 산화물은 그룹 III 또는 그룹 V 금속 산화물( 예: Al2O3, Y2O3, Ta2O5, 또는 V2O5)이며, 그리고, 금속 도펀트는 그룹 IV물질(Zr, Si, Ti, Hf)이다. 금속 산화물은 약 0.1 중량 퍼센트에서 30 중량 퍼센트의 도펀트를 포함하고 있다. 본 발명의 도프된 금속 산화물 유전체는 수 많은 다른 전자 소자들과 장치들내에서 사용된다. 예를 들면, 도프된 금속 산화물 유전체는 MOS 장치에 대한 게이트 유전체로 사용된다. 도프된 금속 산화물 유전체는 또한 플래시 메모리 장치들에 대한 인터 폴리 유전 물질로서 사용된다.