发明名称 SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要 <p>BGA 구조로 된 CSP 구성의 수지 밀봉형 반도체 장치의 실장에 있어서, 전극 범프의 응력을 완화할 수 있고, 노이즈를 적게 할 수 있을 뿐만 아니라, 신호용 전극의 상호 크로스 토크를 억제할 수 있으며, 열발산 효율을 높게 할 수 있고, 중성자선의 통과를 저지할 수 있는 실장체를 제공한다. 반도체 칩을 응력 완화막을 통해서 절연성 기판에 적층함과 동시에, (a) 열팽창율에 의한 응력 분포 밀도가 가장 높은 영역인 칩의 주연부에 응력 완화막을 접착하고, 절연성 기판의 주연부에 차폐용 전극이 제공되며, 칩과 신호용 전극의 분담 응력을 경감한다. (b) 칩의 주연부에 차폐층 부착 응력 완화막을 접착한다. 또는 절연성 기판상에 제공된 신호용 전극 1개 마다에 동축형으로 통형 차폐층 어레이를 배열한다. (c) 히트 싱크 부착 패키지로 한다. (d) 절연성 기판, 밀봉재, 패키지 등, 어느 1개 이상을 중수소를 포함하는 수지로 구성한다.</p>
申请公布号 KR100319495(B1) 申请公布日期 2002.01.09
申请号 KR19990004046 申请日期 1999.02.05
申请人 null, null 发明人 구니끼요다쯔야
分类号 H01L23/28;H01L21/60;H01L23/10;H01L23/12;H01L23/31;H01L23/36;H01L23/498;H05K1/02;H05K3/34 主分类号 H01L23/28
代理机构 代理人
主权项
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