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<p>개시될 반도체기억장치는 메모리셀 어레이(31) 및 (31)를 구비한 뱅크(25) 및 (25), 글로벌 I/O라인(26) 및 (26), I/O 앰프(28) 및 (28) 그리고 컬럼디코더군(35) 및 (35)를 갖는 뱅크블럭(23); 및 뱅크블럭(25) 및 (25)에 공통으로 형성되고 뱅크선택신호(BS) 내지 (BS) 및 (/BS) 내지 (/BS)에 기초하여 대응하는 컬럼디코더를 활성화하는 컬럼선택신호(YS) 또는 (YS) 그리고 대응하는 I/O 앰프(28) 또는 (28)을 활성화하는 컬럼멀티선택 지연신호(YMD)를 생성하는 뱅크선택회로(29)를 포함한다. 따라서, 복수개의 뱅크를 갖는 반도체기억장치에서 배선수를 줄이고 불량해석등과 같은 테스트를 정상적으로 수행할 수 있다.</p> |
