使用碳纳米管的竖直纳米尺寸晶体管及其制造方法

摘要

提供使用碳纳米管能够实现高密度集成,即万亿比特规模集成的竖直纳米尺寸晶体管,及其制造方法。在使用碳纳米管的竖直纳米尺寸晶体管中,具有几个纳米直径的孔形成在诸如间隔几个纳米的矾土的绝缘层中,以通过CVD,电泳或机械压缩,在纳米尺寸的孔中竖直排列碳纳米管,以用作沟道。而且,使用普通半导体制造方法,在碳纳米管附近形成栅,然后源和漏形成在每个碳纳米管的上下部分,从而制做出具有电子开关特征的竖直纳米尺寸晶体管。

主权项

1.一种使用碳纳米管的竖直纳米尺寸晶体管包含：具有纳米尺寸直径孔的绝缘层；竖直排列在孔中的碳纳米管；在碳纳米管附近形成在绝缘层上的栅；沉积在栅上以填充孔的非传导薄膜；在非传导薄膜和碳纳米管上形成的漏；以及在绝缘层和碳纳米管下形成的源。