| 摘要 |
<P>L'invention concerne un circuit de mémoire dynamique (22) comprenant des cellules mémoire (4) organisées en réseau de rangées et de colonnes, chaque rangée étant activable par une ligne de mot (WLi) et chaque colonne étant formée de cellules reliées à une première et à une deuxième ligne de bit, qui comprend au moins une rangée de secours formée de cellules de mémoire statique (24), propre à être activée en remplacement d'une rangée de cellules mémoire, chaque cellule de secours étant reliée aux première et deuxième lignes de bit d'une colonne du circuit (22).</P> |
