| 主权项 |
1.一种散射角限制型电子束曝光方法,其用到一种含有散射区域之遮罩,且设置了限制用孔径以控制因该遮罩受到散射之散射电子的通过量额,因此由已通过该遮罩之电子束内各电子散射角的差异形成了散射反差现象,且因此执行了图形曝光;其特征为:藉由依照图形密度改变遮罩散射区域之厚度,使散射电子之散射角受到控制并使通过限制用孔径之散射电子量额获致调整,且利用这些通过该限制用孔径之后的散射电子校正曝光,而在施行图形曝光的同时执行邻近效应校正。2.如申请专利范围第1项之散射角限制型电子束曝光方法,其中该遮罩含有的结构中系将由具有规定图形之电子束散射器制成之散射区域形成于一电子束可透射薄膜上。3.如申请专利范围第1项之散射角限制型电子束曝光方法,其中该遮罩系一种藉由将开口区段设定于基板内而形成开口图形的遮罩,且该基板含有其厚度比电子穿透深度更薄之散射区域,且其内形成有该开口图形之该散射区域包含的区域系对应到晶圆内之背面散射范围。4.如申请专利范围第3项之散射角限制型电子束曝光方法,其中该遮罩系一组藉由结合许多遮罩图形而形成规定图形之互补遮罩之一;-各散射电子之散射角系藉由设定每一个互补遮罩之散射区域厚度而受到控制,其方式为使利用一组这类互补遮罩执行许多次(相当于形成规定图形所需要遮罩数目那麽多次)曝光之总校正剂量等于只利用一个遮罩形成规定图形且只透过一次曝光时之校正剂量;且-在藉由利用一组这类互补遮罩施行所需要次数之曝光而形成规定图形的同时,利用这些通过该限制用孔径之后的散射电子校正曝光而执行邻近效应校正。5.一种散射角限制型电子束曝光方法,其用到一种含有散射区域之遮罩,且设置了限制用孔径以控制因该遮罩受到散射之散射电子的通过量额,因此出已通过该遮罩之电子束内各电子散射角的差异形成了散射反差现象,且因此执行了图形曝光;其特征为-该遮罩含有的结构中系将由具有规定图形之电子束散射器制成之散射区域形成于一电子束可透射薄膜上;-藉由依照由底下图形所贡献之背面散射改变遮罩电子束散射器之厚度,使各散射电子之散射角受到控制并使通过限制用孔径之散射电子量额获致调整,且利用这些通过该限制用孔径之后的散射电子校正曝光,而在施行图形曝光的同时执行邻近效应校正。6.如申请专利范围第1项之散射角限制型电子束曝光方法,其中于对应到晶圆之底下图形以及由底下图形所贡献之背面散射范围的散射区域内设定遮罩散射区域之厚度,而将由底下图形所贡献之背面散射列入考量,因此使各散射电子之散射角受到控制并使通过限制用孔径之散射电子量额获致调整,且利用这些通过该限制用孔径之后的散射电子校正曝光,而在施行图形曝光的同时执行邻近效应校正。7.一种申请专利范围第1项中散射角限制型电子束曝光方法所用之电子束曝光用遮罩,其特征为:为了控制各散射电子之散射角而改变遮罩散射区域之厚度,其方法是以针对图形密度之适当校正剂量执行邻近效应校正。8.如申请专利范围第7项之散射角限制型电子束曝光方法所用之电子束曝光用遮罩,其中该遮罩含有的结构中系将由具有规定图形之电子束散射器制成之散射区域形成于一电子束可透射薄膜上。9.如申请专利范围第7项之散射角限制型电子束曝光方法所用之电子束曝光用遮罩,其中藉由将开口区段设定于基板内而形成开口图形,且该基板含有其厚度比电子穿透深度更薄之散射区域,且其内形成有该开口图形之该散射区域包含的区域系对应到已曝光物质内之背面散射范围。10.一种申请专利范围第4项中散射角限制型电子束曝光方法所使用之互补遮罩,系藉由结合许多遮罩图形而形成一种规定图形;且-每一个互补遮罩之散射区域厚度的设定方式为使利用一组这类互补遮罩执行许多次(相当于形成规定图形所需要遮罩数目那麽多次)曝光之总校正剂量等于只利用一个遮罩形成规定图形且只透过一次曝光时之校正剂量。11.一种申请专利范围第5项中散射角限制型电子束曝光方法所使用之电子束曝光用遮罩,系含有-一结构系将由具有规定图形之电子束散射器制成之散射区域形成于一电子束可透射薄膜上;其特征为:-为了控制各散射电子之散射角而改变遮罩散射区域之厚度,其方法是以针对图形密度之适当校正剂量执行邻近效应校正。12.一种散射角限制型电子束曝光系统,其中用到一种含有散射区域之遮罩,且设置了限制用孔径以控制因该遮罩受到散射之散射电子的通过量额,因此由已通过该遮罩之电子束内各电子散射角的差异形成了散射反差现象,且因此执行了图形曝光;其特征为:-该遮罩是一种如申请专利范围第7项之遮罩;且-该限制用孔径系包括一中央区段内之开口以及一围绕该中央区段内之开口而配置的密闭区域开口以便控制通过之散射电子量额,因此提供了校正曝光以便在施行图形曝光的同时执行邻近效应校正。13.一种散射角限制型电子束曝光系统,其中用到一种含有散射区域之遮罩,且设置了限制用孔径以控制因该遮罩受到散射之散射电子的通过量额,因此出已通过该遮罩之电子束内各电子散射角的差异形成了散射反差现象,且因此执行了图形曝光;其特征为:-该遮罩是一种如申请专利范围第8项之遮罩;且-该限制用孔径系包括一中央区段内之开口以及一围绕该中央区段内之开口而配置的密闭区域开口以便控制通过之散射电子量额,因此提供了校正曝光以便在施行图形曝光的同时执行邻近效应校正。14.一种散射角限制型电子束曝光系统,其中用到一种含有散射区域之遮罩,且设置了限制用孔径以控制因该遮罩受到散射之散射电子的通过量额,因此由已通过该遮罩之电子束内各电子散射角的差异形成了散射反差现象,且因此执行了图形曝光;其特征为:-该遮罩是一种如申请专利范围第9项之遮罩;且-该限制用孔径系包括一中央区段内之开口以及一围绕该中央区段内之开口而配置的密闭区域开口以便控制通过之散射电子量额,因此提供了校正曝光以便在施行图形曝光的同时执行邻近效应校正。15.一种散射角限制型电子束曝光系统,其中用到一种含有散射区域之遮罩,且设置了限制用孔径以控制因该遮罩受到散射之散射电子的通过量额,因此由已通过该遮罩之电子束内各电子散射角的差异形成了散射反差现象,且因此执行了图形曝光;其特征为:-该遮罩是一种如申请专利范围第10项之遮罩;且-该限制用孔径系包括一中央区段内之开口以及一围绕该中央区段内之开口而配置的密闭区域开口以便控制通过之散射电子量额,因此提供了校正曝光以便在施行图形曝光的同时执行邻近效应校正。16.一种散射角限制型电子束曝光系统,其中用到一种含有散射区域之遮罩,且设置了限制用孔径以控制因该遮罩受到散射之散射电子的通过量额,因此由已通过该遮罩之电子束内各电子散射角的差异形成了散射反差现象,且因此执行了图形曝光;其特征为:-该遮罩是一种如申请专利范围第1项之遮罩;且-该限制用孔径系包括一中央区段内之开口以及一围绕该中央区段内之开口而配置的密闭区域开口以便控制通过之散射电子量额,因此提供了校正曝光以便在施行图形曝光的同时执行邻近效应校正。图式简单说明:第一图系用以解释一种根据本发明之散射角限制型电子束曝光系统之基本结构用的示意图。第二图系用以解释一种根据本发明之散射角限制型电子束曝光系统之基本结构用的示意图。第三图(a)-第三图(c)系用以解释一种根据本发明之邻近效应校正之基本原理用的示意图。第四图(a)-第四图(c)系用以解释一种根据本发明之邻近效应校正之基本原理用的示意图。第五图(a)-第五图(c)系用以显示当利用根据本发明之遮罩执行电子束曝光时所得到之能量淀积分布的示意图。第六图(a)-第六图(c)系用以显示当利用习知遮罩执行电子束曝光时所得到之能量淀积分布的示意图。第七图(a)、第七图(b)系用以显示一种根据本发明之电子束曝光用遮罩之实施例的示意图。第八图(a)、第八图(b)系用以显示因透射矽镂花遮罩(没有开口)而受到散射之散射电子的孔径透射率与限制用孔径的孔径角之间关系的示意图。第九图系用以显示射束反差与矽镂花遮罩(没有开口)之间关系的曲线图。第十图系用以显示电子在透射矽镂花遮罩(没有开口)之后的孔径透射率与此矽镂花遮罩厚度之间关系的曲线图;第十一图(a)、第十一图(b)系用以显示另一种根据本发明之电子束曝光用遮罩之实施例的示意图。第十二图(a)-第十二图(e)系一系列用以显示一种习知制造镂花遮罩之方法中各步骤的截面图示。第十三图(a)、第十三图(b)系一系列用以显示一种根据本发明制造镂花遮罩之方法中各步骤的截面图示。 |
