| 主权项 |
1.一种用以制造一半导体结构之方法,其包含步骤有:提供具有一表面之矽基板;使用氧分子在矽基板表面形成一缓冲层;以及使用活性氧在缓冲层上形成一或多层高介电质常数氧化物。2.如申请专利范围第1项之方法,更进一步包含步骤为在矽基板表面上,介于矽基板与缓冲层间形成一由矽酸盐晶体材料所组成之种子层。3.如申请专利范围第2项之方法,其中形成种子层步骤包含形成一21之重建组态。4.如申请专利范围第2项之方法,其中形成种子层步骤包含在一UHV环境里,以化学气相沉积或物理气相沉积系统形成该种子层。5.如申请专利范围第2项之方法,其中形成种子层步骤包含形成至少一矽,氧与金属之单层。6.如申请专利范围第2项之方法,其中形成种子层步骤包含:形成一具有一表面之氧化矽层;在该氧化矽层表面沉积一金属;以及对该氧化矽层与金属加热以形成矽酸盐晶体材料之种子层。7.如申请专利范围第6项之方法,其中金属是由锶,钡,钙,锆,铪群中选出。8.如申请专利范围第1项之方法,其中使用氧分子形成一缓冲层步骤包含由锶与氧分子,钡与氧分子,钙与氧分子,锆与氧分子,铪与氧分子群中选出,以形成金属氧化缓冲层。9.如申请专利范围第1项之方法,其中使用活性氧形成一或多层高介电质常数氧化物于缓冲层之上的步骤包含由锶,钡,钙,锆,铪群中选出以形成高介电质常数氧化物。图式简单说明:第一图为具有原生氧化层及根据本发明所形成之氧化层之乾净半导体基板的切面图;第二图为具有根据本发明所形成之种子层于半导体基板上的切面图;第三图为第二图半导体基板的切面图,进一步显示依本发明所形成之缓冲层;第四图为第三图半导体基板的切面图,进一步显示根据本发明所提,高介电质常数氧化层与金属接触用以量测跨越此结构之漏电流密度;以及第五图之曲线图为根据本发明所提跨越第四图结构之漏电流密度降低情形。 |
