| 主权项 |
1.一种使用氮电浆脉冲掺杂防止硼穿透闸极介电层的方法,该方法包括下列步骤:提供一半导体基底,其具有一通道区域;进行一氮电浆脉冲掺杂步骤,在该通道区域之表层中掺杂氮离子;以及进行一热氧化成长步骤,在该半导体基底上形成一闸极介电层。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该氮电浆脉冲掺杂步骤所使用之能量约为200-10000eV。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该通道区域之表层中所掺杂之氮离子的剂量约为1E14-1E17/cm2。4.如申请专利范围第1项之方法,其中在该氮电浆脉冲掺杂步骤之后,更包括进行一回火步骤。5.如申请专利范围第4项之方法,其中在该回火步骤中通入氮气。6.如申请专利范围第5项之方法,其中在该回火步骤中通入氮气的纯度约为100%。7.如申请专利范围第4项之方法,其中该回火步骤所使用之温度约在800-1100℃。8.如申请专利范围第1项之方法,其中该闸极介电层系为氧化层与氮氧化层之混合层。9.一种使用氮电浆脉冲掺杂防止硼穿透闸极介电层的方法,该方法包括下列步骤:提供一半导体基底,其具有一通道区域;进行一氮电浆脉冲掺杂步骤,在该通道区域之表层中掺杂氮离子;进行一氮回火步骤;以及进行一热氧化成长步骤,在该半导体基底上形成一闸极介电层。10.如申请专利范围第9项之方法,其中该氮电浆脉冲掺杂步骤所使用之能量约为200-10000eV。11.如申请专利范围第9项之方法,其中该通道区域之表层中所掺杂之氮离子的剂量约为1E14-1E17/cm2。12.如申请专利范围第9项之方法,其中在该氮回火步骤中通入氮气。13.如申请专利范围第12项之方法,其中在该氮回火步骤中通入氮气的纯度约为100%。14.如申请专利范围第9项之方法,其中该氮回火步骤所使用之温度约在800-1100℃。15.如申请专利范围第9项之方法,其中该闸极介电层系为氧化层与氮氧化层之混合层。16.一种P型金氧半电晶体的制造方法,该方法至少包括下列步骤:提供一半导体基底,其具有一通道区域;进行一氮电浆脉冲掺杂步骤,在该通道区域之表层中掺杂氮离子;进行一热氧化成长步骤,在该半导体基底上形成一闸极介电层;在该半导体基底上覆盖一硼掺杂复晶矽层;定义该硼掺杂复晶矽层与该闸极介电层,以在该通道区域上形成一闸极堆叠层;以及在该闸极堆叠层之两侧之该半导体基底中形成一源极/汲极区。17.如申请专利范围第16项之方法,其中该氮电浆脉冲掺杂步骤所使用之能量约为200-10000eV。18.如申请专利范围第16项之方法,其中该通道区域之表层中所掺杂之氮离子的剂量约为1E14-1E17/cm2。19.如申请专利范围第16项之方法,其中在该氮电浆脉冲掺杂步骤之后,更包括进行一回火步骤。20.如申请专利范围第19项之方法,其中在该回火步骤中通入氮气。21.如申请专利范围第20项之方法,其中在该回火步骤中通入氮气的纯度约为100%。22.如申请专利范围第19项之方法,其中该回火步骤所使用之温度约在800-1100℃。23.如申请专利范围第16项之方法,其中该闸极介电层系为氧化层与氮氧化层之混合层。图式简单说明:第一图A-第一图D为本发明之一较佳实施例之制程剖面图;第二图为氮电浆脉冲掺杂所使用之反应室之结构示意图。 |
