| 主权项 |
1.一种化学气相沈积反应室之加热器的温度变化监测方法,该化学气相沈积反应室内包括一晶片与该加热器,在该化学气相沈积反应室的外壁安装一扫瞄式红外线温度测定计,该扫瞄式红外线温度测定计与一监控装置做电连接,该方法之步骤:由该扫瞄式红外线温度测定计扫瞄该晶片的温度变化,并传送一温度信号至该监控装置;由该监控装置判断该晶片的温度变化是否到达预定的温度;以及当该晶片的温度变化未到达预定的温度时,则该监控装置送出一加热命令使该加热器增加温度。2.如申请专利范围第1项所述之化学气相沈积反应室之加热器的温度变化监测方法,其中由该温度测定计侦测该晶片的温度变化之前,更包括步骤:将该晶片置入于该化学气相沈积反应室内之该加热器上;以及提供电源给该加热器,使该化学气相沈积反应室内之该晶片的温度增加到预定的温度。3.如申请专利范围第2项所述之化学气相沈积反应室之加热器的温度变化监测方法,其中由该扫瞄式红外线温度测定计传送该温度信号至该监控装置,系藉由一RS-232传送。4.如申请专利范围第3项所述之化学气相沈积反应室之加热器的温度变化监测方法,其中当该晶片的温度变化未到达预定的温度时,更包括步骤:判断该加热器是否故障;以及若该加热器故障时,则更换该加热器以继续产生加热作用。5.一种化学气相沈积反应室之加热器的温度变化监测装置,该化学气相沈积反应室内包括一晶片、一晶座与该加热器,该晶片置于该晶座之上,该加热器于该晶座内加热,包括:一扫瞄式红外线温度测定计,安置在该化学气相沈积反应室的外壁,用以扫瞄该晶片的温度后,输出一温度信号;一输入/输出介面电路,连接至该扫瞄式红外线温度测定计,用以接收该温度信号后,并输出一输入信号;以及一电脑,接收该输入信号后进行温度调整作用,来输出一加热命令至该加热器,以改变该晶座上晶片的温度。6.如申请专利范围第5项所述之化学气相沈积反应室之加热器的温度变化监测装置,其中一输入/输出介面电路与该扫瞄式红外线温度连接,系藉由一条RS-232。7.如申请专利范围第5项所述之化学气相沈杠反应室之加热器的温度变化监测装置,其中当该电脑送出之该加热命令无法使该晶座上晶片的温度达到一预定温度,则判定该加热器故障。图式简单说明:第一图绘示习知以热传导的方式进行晶片加热量测之示意图;第二图绘示本发明以热传导的方式进行晶片加热量测之示意图;以及第三图绘示本发明之化学气相沈积反应室之加热器的温度变化监测方法之流程图。 |
