| 主权项 |
1.一种半导体装置之制造方法,具备:形成具有开口部之层间绝缘膜之步骤、在前述开口部内使用溅射法来形成第1导电构件之步骤、以及在形成前述第1导电构件前,以可减少前述层间绝缘膜的水分以及氢氧基之量的温度进行第1热处理之步骤。2.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中又具备:进行完前述第1热处理后,在形成前述第1导电构件前,先在前述开口部内形成包含钛之第2导电构件之步骤。3.如申请专利范围第2项之半导体装置之制造方法,其中,前述第2导电构件系由钛层、氮化钛层等的积层膜构成。4.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中,形成前述第1导电构件的步骤包含利用前述溅射法以低温进行溅射后,再以高温进行而形成前述第1导电构件之步骤。5.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中,前述层间绝缘膜包含有机SOG膜。6.如申请专利范围第5项之半导体装置之制造方法,其中又具备:在形成前述第1导电构件前,先在前述有机SOG膜导入不纯物之步骤。7.如申请专利范围第6项之半导体装置之制造方法,其中具备:先形成前述第1导电构件前,先对导入有前述不纯物之有机SOG膜施以第2热处理之步骤。8.一种半导体装置之制造方法,具备:形成具有开口部之层间绝缘膜之步骤、在前述开口部内使用溅射法来形成第1导电构件之步骤、以及在形成前述第1导电构件前,先以前述溅射法之溅射温度以上的温度进行第1热处理之步骤。9.如申请专利范围第8项之半导体装置之制造方法,其中又具备:进行完前述第1热处理后,在形成前述第1导电构件前,先在前述开口部内形成包含钛之第2导电构件形成之步骤。10.如申请专利范围第9项之半导体装置之制造方法,其中,前述第2导电构件系由钛层、氮化钛层等的积层膜构成。11.如申请专利范围第8项之半导体装置之制造方法,其中,形成前述第1导电构件的步骤包含利用前述溅射法以低温进行溅射后,再以高温进行而形成前述第1导电构件之步骤。12.如申请专利范围第8项之半导体装置之制造方法,其中,前述层间绝缘膜包含有机SOG膜。13.如申请专利范围第12项之半导体装置之制造方法,其中又具备:在形成前述第1导电构件前,先在前述有机SOG膜导入不纯物之步骤。14.如申请专利范围第13项之半导体装置之制造方法,其中又具备:在形成前述第1导电构件前,对导入有前述不纯物之有机SOG膜施以第2热处理之步骤。图式简单说明:第一图至第九图为本发明一实施型态之半导体装置制程的概略剖视图。第十图为说明本发明一实施型态之效果的特性图。 |
