| 主权项 |
1.一种以掺氟矽玻璃当作金属层间介电层的制造方法,适用于制作有金属导线的半导体基板上,而上述制造方法包括下列步骤:提供一制作有金属导线的半导体基底:于上述半导体基板的金属导线上形成第一掺氟矽玻璃层;于上述第一掺氟矽玻璃层上形成阻障层;于上述阻障层上形成第二掺氟矽玻璃层;以及磨平上述第二掺氟矽玻璃层。2.如申请专利范围第1项所述的以掺氟矽玻璃当作金属层间介电层的制造方法,其中以高密度电浆化学气相沈积法来沈积上述第一及第二掺氟矽玻璃层。3.如申请专利范围第2项所述的以掺氟矽玻璃当作金属层间介电层的制造方法,其中以化学气相研磨法来研磨上述第二掺氟矽玻璃层。4.如申请专利范围第3项所述的以掺氟矽玻璃当作金属层间介电层的制造方法,其中更包括施行加热而去除水份的步骤。5.如申请专利范围第1.2.3或4项所述的以掺氟矽玻璃当作金属层间介电层的制造方法,其中上述阻障层为未掺杂玻璃层。6.如申请专利范围第5项所述的以掺氟矽玻璃当作金属层间介电层的制造方法,其中上述阻障层为富矽未掺杂玻璃层。7.如申请专利范围第6项所述的以掺氟矽玻璃当作金属层间介电层的制造方法,其中上述富矽未掺杂玻璃层为氧化矽层。8.如申请专利范围第7项所述的以掺氟矽玻璃当作金属层间介电层的制造方法,其中以电浆加强式化学气相沈积法来沈积上述氧化矽层。9.如申请专利范围第6项所述的以掺氟矽玻璃当作金属层间介电层的制造方法,其中上述富矽未掺杂玻璃层为四乙氧基矽甲烷层。10.如申请专利范围第9项所述的以掺氟矽玻璃当作金属层间介电层的制造方法,其中以电浆加强式化学气相沈积法来沈积上述四乙氧基矽甲烷层。11.如申请专利范围第1.2.3或4项所述的以掺氟矽玻璃当作金属层间介电层的制造方法,其中上述阻障层为氮氧化矽层。12.如申请专利范围第11项所述的以掺氟矽玻璃当作金属层间介电层的制造方法,其中上述阻障层为富矽氮氧化矽层。13.如申请专利范围第12项所述的以掺氟矽玻璃当作金属层间介电层的制造方法,其中以电浆加强式化学气相沈积法来沈积上述富矽氮氧化矽层。14.如申请专利范围第1.2.3或4项所述的以掺氟矽玻璃当作金属层间介电层的制造方法,其中上述阻障层为氮化矽层。15.如申请专利范围第14项所述的以掺氟矽玻璃当作金属层间介电层的制造方法,其中上述阻障层为富矽氮化矽层。16.如申请专利范围第15项所述的以掺氟矽玻璃当作金属层间介电层的制造方法,其中以电浆加强式化学气相沈积法来沈积上述富矽氮化矽层。图式简单说明:第一图(a)至第一图(d)系用以说明习知以掺氟矽玻璃当作金属层间介电层的制造方法的剖面图;以及第二图(a)至第二图(d)系用以说明本发明之以掺氟矽玻璃当作金属层间介电层的制造方法的剖面图。 |
