主权项 |
1.一种回流物质层的方法,该方法至少包含:放置一具有一第一物质层于其上的晶圆在一反应室内;沈积一第二物质于该反应室内,该第二物质比第一物质层更具反应性;于溅镀沈积该第二物质过程中遮蔽该晶圆;及于沈积至少一部份该第二物质时加热该晶圆以回流该第一物质层。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之第二物质至少包含钛。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之加热晶圆至少包含反射热能至晶圆。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之沈积一第二物质于该反应室内至少包含溅镀沉积该第二物质于至少一反应室表面上。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中遮蔽该晶圆至少包含一遮罩与该晶圆隔开,如此该晶圆与反应室之间环境可维持流体交流。6.如申请专利范围第1项所述之方法,更包含一具有开口之箝夹以夹紧该晶圆,如此该晶圆与反应室之间环境可维持流体交流。7.一回流一第一物质层的反应室,其至少包含:一第二物质源,该第二物质源比该第一物质与去吸附物质的反应性大,该去吸附物质系释放自晶圆、制程工件部分、沈积薄膜、该第一物质及反应室表面中至少其中之一;一溅镀沈积机构,其与该第二物质源相互作用,于至少一部份该第一物质层回流时沈积该第二物质于反应室内;一物件位置;一与该物件位置耦合之遮罩,以阻止该第二物质于沈积该第二物质时到达该物件位置;及一与物件位置活动耦合之加热器,以于该第一物质层回流期间,提供该物件位置热能。8.如申请专利范围第7项所述之反应室,其中上述之第二物质源至少包含一溅镀靶。9.如申请专利范围第7项所述之反应室,其中上述之第二物质源至少包含钛。10.如申请专利范围第7项所述之反应室,其中上述之遮罩更包含与遮罩活动耦合的反射器,以反射热能至该物件位置。11.如申请专利范围第7项所述之反应室,其中上述之遮罩更包含一足够粗糙的表面,以防止该第二物质于后续的回流过程中脱离该表面。12.如申请专利范围第7项所述之反应室,其中上述之遮罩更包含一箝夹,以夹紧一物件于该物件位置上。13.如申请专利范围第12项所述之反应室,其中该反应室至少包含大气且其中上述之遮罩与该遮罩下之物件隔开,如此该物件维持与反应室中之大气的流体交流。14.如申请专利范围第12项所述之反应室,其中该反应室至少包含大气且其中上述之箝夹至少包含开口,如此被夹紧的物件维持与反应室中之大气的流体交流。15.一种遮罩,其具有环状箝夹用以夹紧一晶圆于一位置,其至少包含:一环状箝夹具有第一表面,其与被夹紧之晶圆接触,以及一与该第一表面相对之第二表面;一遮罩,其具有一第一表面以及一与第一表面相对的第二表面,该遮罩的第一表面与该箝夹的第二表面耦合,以遮蔽沿着该箝夹之第一表面被夹紧的晶圆表面,该晶圆、箝夹、以及遮罩的第一表面包围一内部区域;及多个排气口,以允许自被夹紧之晶圆去吸附的污染物,沿着该箝夹之该第一表面,从该内部区域经由排气口抽至外部区域;其中该遮罩之该第一表面至少包含一反射物。16.如申请专利范围第15项所述之遮罩,其中上述之箝夹的第一表面至少包含多个插销口。17.如申请专利范围第15项所述之遮罩,其中上述之遮罩的第二表面至少包含一足够粗糙的表面,用以减少沈积于其上的物质剥落。18.如申请专利范围第15项所述之遮罩,其中上述之遮罩至少包含无孔隙。19.一种遮罩,其具有环状箝夹用以夹紧一晶圆于一位置,其至少包含:一环状箝夹具有第一表面,其与被夹紧之晶圆接触,以及一与该第一表面相对之第二表面;一遮罩,其具有一第一表面以及一与第一表面相对的第二表面,该遮罩的第一表面与该箝夹的第二表面耦合,以遮蔽沿着该箝夹之第一面被夹紧的晶圆表面,该晶圆、箝夹、以及遮罩的第一表面包围一内部区域;及多个排气口,以允许自被夹紧之晶圆去吸附的污染物,沿着该箝夹之该第一表面,从该内部区域经由排气口抽至外部区域;其中该遮罩至少包含无孔隙。20.如申请专利范围第19项所述之遮罩,其中上述之箝夹的第一表面至少包含多个插销口。21.如申请专利范围第19项所述之遮罩,其中上述之遮罩的第二表面至少包含一足够粗糙的表面,用以减少沈积于其上的物贯剥落。22.一种遮罩,其具有环状箝夹用以夹紧一晶圆于一位置,其至少包含:一环状箝夹具有第一表面,其与被夹紧之晶圆接触,以及一与该第一表面相对之第二表面;一遮罩,其具有一第一表面以及一与第一表面相对的第二表面,该遮罩的第一表面与该箝夹的第二表面耦合,以遮蔽沿着该箝夹之第一表面被夹紧的晶圆表面,该晶圆、箝夹、以及遮罩的第一表面包围一内部区域;及多个排气口,以允许自被夹紧之晶圆去吸附的污染物,沿着该箝夹之该第一表面,从该内部区域经由排气口抽至外部区域;其中该遮罩之该第二表面足够粗糙用以减少沈积于其上的物质剥落。23.如申请专利范围第22项所述之遮罩,其中上述之箝夹的第一表面至少包含多个插销口。图式简单说明:第一图为本发明回流反应室的侧面图;第二图A及第二图B为与环状箝夹成一整体之遮罩的侧面图及底部平面图;及第三图为第一图之本发明回流反应室之较佳操作方法的流程图。 |