| 主权项 |
1.一种形成一光源之一个光可通透接点的方法,其步骤包括:形成至少一层p型氮化镓(GaN)(20和30)作为一个光电装置(10)的一层;选择一个金属(32),以在该p型氮化镓层的一表面上形成一导电的光通透层(24);和将该选定的金属(34)引至该表面上作为一氧化材料,藉此该选定的金属可以在将该选定金属被引至该p型氮化镓层之前或期间被氧化。2.如申请专利范围第1项的方法,其中该选择一个金属(32)的步骤是在镍(Ni)、一II族金属和一个过渡金属之间作选择,藉此引进该选定的金属(34)之该步骤可以被进行,以作为沈积一被选定金属氧化物,如氧化镍、一II族金属氧化物和一个过渡金属氧化物的步骤。3.如申请专利范围第2项的方法,更进一步包含在该选定的金属氧化物上形成一个贵金属(36和38)层,并且热处理(40)该选定的金属氧化物与该贵金属层,藉此能使该贵金属渗透该选定的金属氧化物,并且渗透至该p型氮化镓层(20)。4.如申请专利范围第2项的方法,其中沈积该选定的金属氧化物(34)之该步骤包括,同时将一个贵金属(36)引至该表面(30)之上,藉此形成一个层(24和38),该层是该选定金属氧化物与该贵金属的组合。5.如申请专利范围第4项的方法,其中同时沈积该选定的金属氧化物(34)和该贵金属的步骤包括使氧化镍和金行反应共汽化与反应共溅镀中之一者。6.如申请专利范围第1或2项的方法,进一步的包含的步骤为:在该选定的金属上形成一个第二金属(38);使该第二金属扩散通过该选定的金属;和形成一个氧化铟锡ITO(62)层,以提高沿着该p型氮化镓层之该表面的侧边导电率。7.如申请专利范围第1或2项的方法,其进一步包含的步骤为:在该氧化的选定金属(24)上形成一个高导电材料(36和38)层;在该高导电材料上形成一个该选定金属(62)的第二层;和进行退火以氧化该第二层,并且使该高导电材料扩散通过该氧化的选定材料,而到达该p型氮化镓层(20)的该表面。8.如申请专利范围第1.2或3项的方法,其中该将选定金属(34)引进的步骤包括使用反应汽化与反应溅镀中之一者以沈积氧化镍,该沈积之后的步骤为:沈积金(36);和在一个实质上没有氧气的环境中退火(40)该氧化镍和金。9.如申请专利范围第1或2项的方法,其中该将选定金属(34)引进的步骤包括使用反应汽化与反应溅镀中之一者以沈积氧化镍,该沈积之后的步骤为:沈积导电材料(36);和在一个实质上没有氢气的环境中退火(40)该氧化镍和导电材料,其中该p型氮化镓层的p掺杂被活化。10.如申请专利范围第1项的方法,进一步包含在该氧化的选定金属上形成至少一图案化的导电层(64和72)。图式简单说明:第一图是在该p型GaN层上不含一个接点结构的光电装置的透视图。第二图是如第一图的装置,且具有依据本发明之一实施例形成一透明金属氧化物层之接点结构的侧边截面图。第三图形成第二图的装置之加工步骤流程图。第四图是如第一图的装置,且具有如第二图之透明金属氧化物层与一高导电率金属层之组合物的接点结构的侧边截面图。第五图是如第四图的装置在进行退火步骤后的侧边截面图。第六图是依据本发明第二实施例形成一接点结构的加工步骤流程图。第七图是依据本发明的另一应用形成一接点结构的加工步骤流程图。第八图是依据本发明的再另一应用形成一接点结构的加工步骤流程图。第九图是如第一图的装置且具有三层接点结构的侧边截面图。第十图是如第一图的光电装置,且具有依据本发明所形成之具有图式化的接点结构的透视图。第十一图是第十图装置的侧边截面图。第十二图是第十图装置之该具有图式化接点结构的另一应用。 |
