| 主权项 |
1.一种利用离子植入在介电层形成开口的方法,包括下列步骤:提供一基底;形成一含离子介电层于该基底上;形成一未含离子介电层于该含离子介电层上;形成一罩幕层于该未含离子介电层上,该罩幕层包括一第一开口,以曝露出部分之该未含离子介电层;利用该罩幕层,进行一离子植入步骤,于该第一开口下之该未含离子介电层,形成一离子植入区,该离子植入区深度不超过该未含离子介电层之厚度;利用该罩幕层,进行一化学气相蚀刻步骤,蚀刻该未含离子介电层之该离子植入区,形成一第二开口;以及利用该罩幕层,进行一乾蚀刻步骤,蚀刻该第二开口下的剩余之该未含离子介电层和该含离子介电层,以曝露出部分之该基底。2.如申请专利范围第1项所述之利用离子植入在介电层形成开口的方法,其中该含离子介电层包括含硼之氧化层、含磷之氧化层、含硼磷之氧化层、及含离子之氧化层其中之一。3.如申请专利范围第1项所述之利用离子植入在介电层形成开口的方法,其中该未含离子介电层包括氧化层。4.如申请专利范围第1项所述之利用离子植入在介电层形成开口的方法,其中该离子植入步骤,包括植入硼、磷、砷、及半导体掺质其中之一。5.如申请专利范围第1项所述之利用离子植入在介电层形成开口的方法,其中该化学蚀刻包括氟化氢气相蚀刻。6.如申请专利范围第1项所述之利用离子植入在介电层形成开口的方法,其中该离子植入区深度至少为该未含离子介电层厚度之百分之七十。7.如申请专利范围第1项所述之利用离子植入在介电层形成开口的方法,其中该第二开口区深度至少为该未含离子介电层厚度之百分之七十。8.如申请专利范围第1项所述之利用离子植入在介电层形成开口的方法,其中该罩幕层包括一光阻层。9.如申请专利范围第1项所述之利用离子植入在介电层形成开口的方法,其中更包括,一去罩幕层步骤,于该乾蚀刻步骤后。10.一种利用离子植入在介电层形成开口的方法,包括下列步骤:提供一基底;形成一未含离子介电层于该基底上;形成一罩幕层于该未含离子介电层上,该罩幕层包括一第一开口,以曝露出部分之该未含离子介电层;利用该罩幕层,进行一离子植入步骤,于该第一开口下之该未含离子介电层,形成一离子植入区,该离子植入区深度不超过该未含离子介电层厚度;利用该罩幕层,进行一化学气相蚀刻步骤,蚀刻该未含离子介电层之该离子植入区,形成一第二开口;以及利用该罩幕层,进行一乾蚀刻步骤,蚀刻该第二开口下的剩余之该未含离子介电层,以曝露出部分之该基底。11.如申请专利范围第10项所述之利用离子植入在介电层形成开口的方法,其中该未含离子介电层包括氧化层。12.如申请专利范围第10项所述之利用离子植入在介电层形成开口的方法,其中该离子植入步骤,包括植入硼、磷、砷、及半导体掺质其中之一。13.如申请专利范围第10项所述之利用离子植入在介电层形成开口的方法,其中该化学蚀刻包括氟化氢气相蚀刻。14.如申请专利范围第10项所述之利用离子植入在介电层形成开口的方法,其中该离子植入区深度至少为该未含离子介电层厚度之百分之五十。15.如申请专利范围第10项所述之利用离子植入在介电层形成开口的方法,其中该第二开口区深度至少为该未含离子介电层厚度之百分之五十。16.如申请专利范围第10项所述之利用离子植入在介电层形成开口的方法,其中该罩幕层包括一光阻层。17.如申请专利范围第10项所述之利用离子植入在介电层形成开口的方法,其中更包括,一去罩幕层步骤,于该乾蚀刻步骤后。图式简单说明:第一图A以剖面示意图绘示,于蚀刻前光阻层之厚度与光阻层开口之形状和临界尺寸;第一图B以剖面示意图绘示,深厚度的氧化层的蚀刻后去光阻前之结果;第二图以剖面立体示意图绘示传统全部乾蚀刻制程,产生临界尺寸损耗和刻痕的问题于氧化层开口;第三图A至第三图E绘示本发明之利用离子植入在介电层形成开口的方法的制程流程剖面示意图;以及第四图绘示本发明蚀刻后氧化层开口的剖面立体示意图。 |
