| 主权项 |
1.一种多层电容器,其系包括:一个内含复数个叠层的介电层之电容器主体;至少一对第一内部电极以及至少一对第二内部电极,该些对的第一内部电极与第二内部电极系透过被设置在该电容器主体的内部之复数个介电层中之特定的介电层而相互相对;被设置在大致平行于该些内部电极而延伸的至少一主要表面之上的第一外部端子电极以及第二外部端子电极;以及被设置在该电容器主体的内部之复数个第一馈通导体以及复数个第二馈通导体,该些第一馈通导体系穿过该复数个介电层中特定的介电层以电气连接该些第一内部电极以及该些第一外部端子电极,使得该些第一馈通导体系电气绝缘于该些第二内部电极,并且该些第二馈通导体系穿过该复数个介电层中特定的介电层以电气连接该些第二内部电极以及该些第二外部端子电极,使得该些第二馈通导体系电气绝缘于该些第一内部电极;其中该些复数个第一馈通导体与复数个第二馈通导体系被分布在该些第一与第二内部电极的整个区域之上;其中该些第一与第二馈通导体系被配置使得该些馈通导体相互抵消由流经该些内部电极之电流所感应的磁场,并且该些第一与第二馈通导体系被彼此相邻地设置,以被大致分布在一个大致正方形的轮廓之每个角落处;并且其中;当该些第一与第二馈通导体之对准间距系由P所表示并且该些第一与第二馈通导体的总数条由N所表示时,一种配置系被设定使得P/N的比率大约是0.085mm或是更小。2.根据申请专利范围第1项之多层电容器,其中P/N的値系等于或小于约0.04mm。3.根据申请专利范围第1项之多层电容器,其中该些第一与第二外部端子电极系以一种相对应于该些第一与第二馈通导体的位置之点状配置来加以配置。4.根据申请专利范围第3项之多层电容器,其中一个焊锡凸块系分别被设置在每个第一与第二外部端子电极之处。5.根据申请专利范围第1项之多层电容器,其中该些第一与第二外部端子电极系仅被设置在该电容器之一主要表面之上。6.根据申请专利范围第1项之多层电容器,其中该些第一与第二外部端子电极系被设置在该电容器的两个主要表面之上。7.根据申请专利范围第1项之多层电容器,其中该些第一外部端子电极系被设置在该电容器之一主要表面之上,并且该些第二外部端子电极系被设置在该电容器之另一主要表面之上。8.根据申请专利范围第1项之多层电容器,其中该多层电容器系被配置来界定一个去耦电容器,其系适合用于连接到一个用于被结合在一微处理单元中之一MPU晶片用的电源供应电路。9.一种接线基板,系安装有申请专利范围第1项之多层电容器者,该接线基板具有电极,该多层电容器之外部端子电极系连接于该接线基板之电极。10.根据申请专利范围第9项之接线基板,其中一个被纳入一微处理单元中之MPU晶片系被安装到该接线基板上,该接线基板具有一供应电源给该MPU晶片使用之电源供应高压端接线导体以及一接地接线导体,该些内含在该多层电容器中的第一外部端子电极与第二外部端子电极中之一种外部端子电极系电气连接至该电源供应高压端接线导体,而该些第一外部端子电极与第二外部端子电极之另一种外部端子电极系被连接至该接地接线导体。11.根据申请专利范围第10项之接线基板,其中该等第一与第二外部端子电极系分别藉由一凸块而连接至该接线基板。12.一种去耦电路,系使用申请专利范围第1项之多层电容器作为去耦电容器者,该去耦电路包含一MPU晶片,一用来对MPU晶片供应电源之电源供应单元,以及一并联于MPU晶片和电源供应单元间之去耦电容器。13.根据申请专利范围第1项之多层电容器,其中至少一对第一内部电极与至少一对第二内部电极系具有一种实质为矩形的构造。14.根据申请专利范围第1项之多层电容器,其中至少一对第一内部电极与至少一对第二内部电极系具有一种实质为正方形的构造。15.根据申请专利范围第1项之多层电容器,其中该些馈通导体的剖面构造系实质为圆形的。16.根据申请专利范围第1项之多层电容器,其中该些馈通导体的剖面构造系实质为四角形以及实质为六角形的。17.一种多层电容器,其系包括:一个内含复数个叠层的介电层并且具有四个侧边之电容器主体;至少一对第一内部电极以及至少一对第二内部电极,该些对的第一内部电极与第二内部电极系透过被设置在该电容器主体的内部并且被设置在该电容器主体内的各种位置处之复数个介电层中之一而相互相对;被设置在该电容器主体的至少一主要表面之上的第一外部端子电极以及第二外部端子电极,该主要表面系大致平行于该些内部电极而延伸;被设置在该电容器主体的内部之复数个第一馈通导体以及复数个第二馈通导体,该些第一馈通导体系穿过该复数个介电层中特定的介电层以电气连接该些第一内部电极以及该些第一外部端子电极,成为该些第一馈通导体系电气绝缘于该些第二内部电极之状态,并且该些第二馈通导体系穿过该复数个介电层中特定的介电层以电气连接该些第二内部电极以及该些第二外部端子电极,而处于该些第二馈通导体系电气绝缘于该些第一内部电极之状态;其中该些第一与第二馈通导体系分别从该些第一与第二外部端子电极、沿着该复数个介电层之主要部分延伸,并且该些第一与第二馈通导体系被配置使得该些第一与第二馈通导体系相互抵消由流经该些内部电极的电流所感应的磁场;并且当该些第一与第二馈通导体之对准间距系由P所表示并且该些第一与第二馈通导体的总数系由N所表示时,一种配置系被设定使得P/N的比率大约是0.085mm或是更小。18.根据申请专利范围第17项之多层电容器,其中每个该些第一外部端子系沿着该电容器主体之至少一主要表面而位于相邻该些第二外部端子中之一第二外部端子之处。19.根据申请专利范围第17项之多层电容器,其中每个该些第一馈通导体系在该电容器主体之中、位于相邻该些第二馈通导体中之一第二馈通导体之处。20.根据申请专利范围第17项之多层电容器,其中该些第一外部端子系具有一第一极性,并且该些第二外部端子系具有一相反于该第一极性的第二极性。21.根据申请专利范围第17项之多层电容器,其中P/N的値系等于或小于约0.04mm。22.根据申请专利范围第17项之多层电容器,其中该些第一与第二外部端子电极系以一种相对应于该些第一与第二馈通导体的位置之点状配置来加以配置。23.根据申请专利范围第22项之多层电容器,其中一个焊锡凸块系分别被设置在每个第一与第二外部端子电极之处。24.根据申请专利范围第17项之多层电容器,其中该些第一与第二外部端子电极系仅被设置在该电容器之一主要表面之上。25.根据申请专利范围第17项之多层电容器,其中该些第一与第二外部端子电极系被设置在该电容器的两个主要表面之上。26.根据申请专利范围第17项之多层电容器,其中该些第一外部端子电极系被设置在该电容器之一主要表面之上,并且该些第二外部端子电极系被设置在该电容器之另一主要表面之上。27.根据申请专利范围第17项之多层电容器,其中该多层电容器系被配置来界定一个去耦电容器,其系适合用于连接到一个用于被结合在一微处理单元中之一MPU晶片用的电源供应电路。28.一种接线基板,系安装有申请专利范围第17项之多层电容器者,该接线基板具有电极,该多层电容器之外部端子电极系连接于该接线基板之电极。29.根据申请专利范围第28项之接线基板,其中一个被纳入一微处理单元中之MPU晶片系被安装到该接线基板上,该接线基板具有一供应电源给该MPU晶片使用之电源供应高压端接线导体以及一接地接线导体,该些内含在该多层电容器中的第一外部端子电极与第二外部端子电极中之一种外部端子电极系电气连接至该电源供应高压端接线导体,而该些第一外部端子电极与第二外部端子电极之另一种外部端子电极系被连接至该接地接线导体。30.根据申请专利范围第29项之接线基板,其中该等第一与第二外部端子电极系分别藉由一凸块而连接至该接线基板。31.一种去耦电路,系使用申请专利范围第17项之多层电容器作为去耦电容器者,该去耦电路包含一MPU晶片,一用来对MPU晶片供应电源之电源供应单元,以及一并联于MPU晶片和电源供应单元间之去耦电容器。32.根据申请专利范围第17项之多层电容器,其中至少一对第一内部电极与至少一对第二内部电极系具有一种实质为矩形的构造。33.根据申请专利范围第17项之多层电容器,其中至少一对第一内部电极与至少一对第二内部电极系具有一种实质为正方形的构造。34.根据申请专利范围第17项之多层电容器,其中该些馈通导体的剖面构造系实质为圆形的。35.根据申请专利范围第17项之多层电容器,其中该些馈通导体的剖面构造系实质为四角形以及实质为六角形的。图式简单说明:第一图是描绘根据本发明之第一较佳实施例的多层电容器11之内部结构的平面图,其中第一图A系为其中第一内部电极14被设置的剖面表面,而第一图B系为其中第二内部电极15被设置的剖面表面;第二图是沿着在第一图A与第一图B中所显示的线段II-II所取之剖面图;第三图是描绘根据本发明之第二较佳实施例的多层电容器26之平面图;第四图是描绘在一个界定其中第一与第二馈通导体20与21被分布的一种状态之方形27中、第一馈通导体20与第二馈通导体21在分别沿着彼此相邻的第一与第二侧边28与29之方向上的对准间距P1与P2之间的差値相关的公差之图;第五图是根据本发明之第三较佳实施例的多层电容器30之剖面图;第六图是根据本发明之第四较佳实施例的多层电容器31之剖面图;第七图是描绘内含根据本发明之第一较佳实施例的多层电容器11以界定一去隅电容器的MPU33之结构上实例的剖面图;并且第八图是描绘其中MPU1与电源单元2被连接之结构的方块图。 |
