| 主权项 |
1.一种双重金属镶嵌结构的方法,包括下列步骤:提供一基底,其中该基底上已形成有一第一导电层;在该第一导电层上形成一阻障层;在该阻障层上形成一第一介电层;在该第一介电层上以液相沈积法形成一氧化层;在该氧化层上形成一第二介电层;图案化该第二介电层,以形成一沟渠;图案化该氧化层;图案化该第一介电层,以形成一介层窗开口,其中该沟渠与该介层窗开口共同组成一双重金属镶嵌开口;去除部分该阻障层而暴露出该第一导电层;以及在该双重金属镶嵌开口中填入一第二导电层。2.如申请专利范围第1项所述之双重金属镶嵌结构的方法,其中以液相沈积法形成该氧化层系于温度摄氏18度至摄氏40度下形成。3.如申请专利范围第1项所述之双重金属镶嵌结构的方法,其中以液相沈积法形成该氧化层系于一反应液中形成。4.如申请专利范围第3项所述之双重金属镶嵌结构的方法,其中该反应液之制备系将一过饱和氢氟矽酸溶液与水以比例6:1至3:1配制而成。5.如申请专利范围第4项所述之双重金属镶嵌结构的方法,其中该过饱和氢氟矽酸溶液是取40%氢氟矽酸(含0.32%氢氟酸)加上二氧化矽粉末混合配制而成。6.如申请专利范围第1项所述之双重金属镶嵌结构的方法,其中该氧化层与该第二介电层间有一高蚀刻选择比,可将该氧化层当作一蚀刻中止层。7.如申请专利范围第1项所述之双重金属镶嵌结构的方法,其中该氧化层之厚度为250埃至350埃。8.如申请专利范围第1项所述之双重金属镶嵌结构的方法,其中该第一介电层之材质系选自矽酸盐聚合物、聚醯亚妆、氟化聚醯亚胺、非晶系铁氟龙、苯环丁烯等具有低介电常数之碳化物或含氟碳化物之有机材质。9.如申请专利范围第1项所述之双更金属镶嵌结构的方法,其中该第二介电层之材质系选自矽酸盐聚合物、聚醯亚胺、氟化聚醯亚胺、非晶系铁氟龙、苯环丁烯等具有低介电常数之碳化物或含氟碳化物之有机材质。10.如申请专利范围第1项所述之双重金属镶嵌结构的方法,其中该第一导电层之材质包括金属铜。11.如申请专利范围第1项所述之双重金属镶嵌结构的方法,其中该第二导电层之材质包括金属铜。12.如申请专利范围第1项所述之双重金属镶嵌结构的方法,其中该阻障层之材质包括氮化矽。13.一种双重金属镶嵌结构的方法,包括下列步骤:提供一基底,其中该基底上已形成有一第一导电层;在该第一导电层上形成一阻障层;在该阻障层上形成一第一介电层;在该第一介电层上以旋转式坡璃法形成一氧化层;在该氧化层上形成一第二介电层;图案化该第二介电层,以形成一沟渠;图案化该氧化层;图案化该第一介电层,以形成一介层窗开口,其中该沟渠与该介层窗开口共同组成一双重金属镶嵌开口;去除部分该阻障层而暴露出该第一导电层;以及在该双重金属镶嵌开口中填入一第二导电层。14.如申请专利范围第13项所述之双重金属镶嵌结构的方法,其中该氧化层与该第二介电层间有一高蚀刻选择比,可将该氧化层当作一蚀刻中止层。15.如申请专利范围第13项所述之双重金属镶嵌结构的方法,其中该氧化层之厚度为250埃至350埃。16.如申请专利范围第13项所述之双重金属镶嵌结构的方法,其中该第一介电层之材质系选自矽酸盐聚合物、聚醯亚胺、氟化聚醯亚胺、非晶系铁氟龙、苯环丁烯等具有低介电常数之碳化物或含氟碳化物之有机材质。17.如申请专利范围第13项所述之双重金属镶嵌结构的方法,其中该第二介电层之材质系选自矽酸盐聚合物、聚醯亚胺、氟化聚醯亚胺、非晶系铁氟龙、苯环丁烯等具有低介电常数之碳化物或含氟碳化物之有机材质。18.如申请专利范围第13项所述之双重金属镶嵌结构的方法,其中该第一导电层之材质包括金属铜。19.如申请专利范围第13项所述之双重金属镶嵌结构的方法,其中该第二导电层之材质包括金属铜。20.如申请专利范围第13项所述之双重金属镶嵌结构的方法,其中该阻障层之材质包括氮化矽。图式简单说明:第一图A至第一图E所示,为依照本发明一较佳实施例之双重金属镶嵌结构之制造流程剖面图。 |
