| 主权项 |
1.一种于陶瓷基材上涂覆铜膜之方法,该法包括步 骤: 于该陶瓷基材上形成含有铜及选择性至少一种选 自由铋与钒所组成群组者之底涂层; 于氧化气氛中热处理具有该底涂层之该陶瓷基材, 以于该底涂层中得到氧化铜层; 还原该氧化铜层,而得到金属铜层;及 于该金属铜层上涂覆铜,而得到该铜膜; 其中该氧化铜层于还原溶液浴中在100℃或以下之 温度下还原成该金属铜层, 其中 当该底涂层仅含铜时,该热处理系于850至1100℃之 温度下进行; 当该底涂层含有铜与铋时,该热处理系于600至1100 ℃之温度下进行; 当该底涂层含有铜与钒时,该热处理系于450至620℃ 之温度下进行。2.如申请专利范围第1项之方法,其 中铜藉无电电镀涂覆于该金属铜层上。3.如申请 专利范围第1项之方法,其中该氧化铜层于介于20℃ 至100℃间之温度下还原。4.如申请专利范围第1项 之方法,其中该底涂层基本上由铜组成。5.如申请 专利范围第4项之方法,其中具有该底涂层之陶瓷 基材于介于850℃至1100℃间之温度下热处理。6.如 申请专利范围第1项之方法,其中该底涂层本上由 铜及铋组成。7.如申请专利范围第6项之方法,其中 具该底涂层之陶瓷基材于介于600℃至1100℃间之温 度下热处理。8.如申请专利范围第6项之方法,其中 该底涂层藉下列次步骤(sub-steps)形成: 于该陶瓷基材上形成铜及铋中之一者之第一层底 涂层;及 于该第一层底涂层上形成铜及铋中之另一者之第 二层底涂层。9.如申请专利范围第8项之方法,其中 该第一层底涂层藉无电电镀形成。10.如申请专利 范围第1项之方法,其中该底涂层基本上由铜及钒 所组成。11.如申请专利范围第10项之方法,其中具 有该底涂层之陶瓷基材于介于450℃至620℃间之温 度下热处理。12.如申请专利范围第10项之方法,其 中该底涂层藉下列次步骤形成: 于该陶瓷基材上形成铜及钒中之一者之第一层底 涂层;及 于该第一层底涂层上形成铜及钒中另一者之第二 层底涂层。13.如申请专利范围第12项之方法,其中 该第一层铜底涂层藉无电电镀形成。14.如申请专 利范围第1项之方法,其中该底涂层包含藉乙二胺 螯合剂处理而于表面中形成铜之螯合化合物之铜 粉。15.如申请专利范围第1项之方法,其中该还原 溶液为二甲胺硼烷者。16.如申请专利范围第1项之 方法,其中该还原溶液为硼氢盐者。17.如申请专利 范围第1项之方法,其中该底涂层包括由含有乙二 胺螯合剂之镀铜溶液淀积之铜粉。18.一种于陶瓷 基材上形成铜电路图型之方法,该法包括步骤 于该陶瓷基材上形成第一层铜底涂层,以形成该第 一层底涂层之电路图型及该陶瓷基材之曝露区; 于该第一层底涂层和该曝露区上形成第二层铋底 涂层; 于氧化气氛中在600至1100℃之温度下热处理具有该 第一层及第二层底涂层之陶瓷基材,以于该第二层 底涂层表面中沿该电路图型形成氧化铜层; 于还原溶液浴中在100℃或以下之温度下还原该氧 化铜层,以形成金属铜层; 藉无电电镀于该金属铜层上涂覆铜;及 去除该曝露区上之第二层底涂层,以于该陶瓷基材 上得到该铜电路图型。19.一种于陶瓷基材上形成 铜电路图型之方法,该法包括步骤: 于该陶瓷基材上形成第一层铋底涂层; 于该第一层底涂层上沿电路图型形成第二层铜底 涂层; 于氧化气氛中在600至上1100℃之温度下热处理具有 该第一层及第二层底涂层之陶瓷基材,以沿该电路 图型得到氧化铜层; 于还原溶液浴中在100℃或以下之温度下还原该氧 化铜层而形成金属铜层; 藉无电电镀于该金属铜层上涂覆铜;及 由该陶瓷基材去除无该第二层底涂层之第一层底 涂层,而于该陶瓷基材上得到该铜电路图型。图式 简单说明: 第一图A至第一图F为明了本发明于陶瓷基材上形 成铜电路图型之方法之示意图; 第二图A至第二图F为说明另一种本发明于陶瓷基 材上形成铜电路图型之方法的示意图;且 第三图为说明于陶瓷上形成之铜膜之粘着性试验 的示意图。 |
