| 主权项 |
1.一种半导体装置之制造方法,其特征是所具备之 工程包含有: 在半导体基板(11)之主表面上形成指定之层(2,3); 在上述之指定之层(2,3)上形成层(4),作为对上述之 指定层(2,3)进行图型制作时之遮罩材料; 在作为上述之遮罩材料(4)之层之上,形成光抗蚀剂 图型(5); 以上述之光抗蚀剂图型(5)作为遮罩,对作为上述之 遮罩材料之层(4)施加蚀刻,用来形成遮罩材料(4a); 和 以上述之遮罩材料(4a)作为遮罩,对上述之指定之 层(2,3)施加蚀刻,用来形成指定之图型(2a,3a); 在用以形成上述之遮罩材料之工程中,以上述之光 抗蚀剂图型(5)作为遮罩,在气相之环境气体中,对 作为上述之遮罩材料之层(4)施加蚀刻。2.如申请 专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中用 以形成上述之遮罩材料之工程包含有: 第1蚀刻工程,以上述之光抗蚀剂图型(5)作为遮罩, 对作为上述之遮罩材料之层(4)施加异方性蚀刻,用 来使上述之指定层(2,3)之表面露出;和 第2蚀刻工程,在上述之气相环境气体中,对位于经 由上述第1蚀刻工程露出之上述光抗蚀剂图型(5)之 下方之成为上述遮罩材料之层(4)之侧面,施加蚀刻 用来形成上述之遮罩材料(4a)。3.如申请专利范围 第2项之半导体装置之制造方法,其中上述之第2蚀 刻工程包含除去聚合物膜(8)之工程,该聚合物膜(8) 在上述第1蚀刻工程时形成在作为上述遮罩材料之 层(4)之侧面。4.如申请专利范围第2项之半导体装 置之制造方法,其中 在形成上述之光抗蚀剂图型(5)之工程中包含有在 底层形成反射防止膜(17)之工程; 上述之第2蚀刻工程包含有以上述反射防止膜(7)作 为遮罩,对成为露出之上述遮罩材料之层(4)之侧面 施加蚀刻之工程。5.如申请专利范围第2项之半导 体装置之制造方法,其中 成为上述遮罩材料之层(4)为矽氮化膜; 上述之第2蚀刻工程是使包含CF4,O2和N2之气体电浆 化,在该电浆环境气体中进行蚀刻。6.如申请专利 范围第1项之半导体装置之制造方法,其中 在用以形成上述遮罩材料之工程,使作为上述遮罩 材料之层沿着上述半导体基板之主表面被蚀刻,用 来使作为上述遮罩材料之层(4)之膜厚小于其长度; 和 用以形成上述之遮罩材料之工程包含有在上述之 气相环境气体中利用等方性蚀刻形成上述之遮罩 材料之工程。7.如申请专利范围第1项之半导体装 置之制造方法,其中作为上述之遮罩材料之层(4)包 含矽氧化膜,上述之气相环境气体包含气相之氟酸 (HF)。8.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造 方法,其中上述之指定之层(2,3)为导电层,上述之指 定之图型包含布线(6)。9.如申请专利范围第3项之 半导体装置之制造方法,其中 在用以形成上述之光抗蚀剂图型(5)之工程中,包含 有在底层形成反射防止膜(7)之工程; 上述之第2蚀刻工程包含有以上述之反射防止膜(7) 作为遮罩,对成为露出之上述遮罩材料之层(4)之侧 面施加蚀刻之工程。10.如申请专利范围第3项之半 导体装置之制造方法,其中 成为上述之遮罩材料之层(4)为矽氮化膜; 上述之第2蚀刻工程是使包含CF4,O2和N2之气体电浆 化,在该电浆环境气体中进行蚀刻。11.如申请专利 范围第4项之半导体装置之制造方法,其中 成为上述之遮罩材料之层(4)为矽氮化膜; 上述之第2蚀刻工程是使包含CF4,O2和N2之气体电浆 化,在该电浆环境气体中进行蚀刻。12.如申请专利 范围第2项之半导体装置之制造方法,其中成为上 述之遮罩材料之层(4)包含矽氧化膜,上述之气相环 境气体包含气相之氟酸(HF)。13.如申请专利范围第 3项之半导体装置之制造方法,其中成为上述之遮 罩材料之层(4)包含矽氧化膜,上述之气相环境气体 包含气相之氟酸(HF)。14.如申请专利范围第4项之 半导体装置之制造方法,其中成为上述之遮罩材料 之层(4)包含矽氧化膜,上述之气相环境气体包含气 相之氟酸(HF)。15.如申请专利范围第6项之半导体 装置之制造方法,其中成为上述之遮罩材料之层(4) 包含矽氧化膜,上述之气相环境气体包含气相之氟 酸(HF)。图式简单说明: 第一图是剖面图,用来表示本发明之实施形态1之 半导体装置之制造方法之一工程。 第二图是剖面图,用来表示在该实施形态中之第一 图之工程后所进行之工程。 第三图是剖面图,用来表示在该实施形态中之第二 图之工程后所进行之工程。 第四图是剖面图,用来表示在该实施形态中之第三 图之工程后所进行之工程。 第五图是剖面图,用来表示在该实施形态中之第四 图之工程后所进行之工程。 第六图是剖面图,用来表示本发明之实施形态2之 半导体装置之制造方法之一工程。 第七图是剖面图,用来表示在该实施形态中之第六 图之工程后所进行之工程。 第八图是第一图型之图,用来表示在该实施形态中 之第七图所示工程之蚀刻之压力和蚀刻时间之关 系。 第九图是第二图型之图,用来表示在该实施形态中 之第七图所示工程之蚀刻之压力和蚀刻时间之关 系。 第十图是第三图型之图,用来表示在该实施形态中 之第七图所示工程之蚀刻之压力和蚀刻时间之关 系。 第十一图是剖面图,用来表示本发明之实施形态3 之半导体装置之制造方法之一工程。 第十二图是剖面图,用来表示在该实施形态中之第 十一图之工程后所进行之工程。 第十三图是剖面图,用来表示习知之半导体装置之 制造方法之一工程。 第十四图是剖面图,用来表示第十三图之工程后所 进行之工程。 第十五图是剖面图,用来表示第十四图之工程后所 进行之工程。 |
