| 主权项 |
1.一种含氟之对掌性液晶化合物,其中该化合物可 由下式表示: 其中:D系为无向性,而系个别选自包括下列之群: 一共价键结 及其组合; Rf为非对掌氟烷基、全氟烷基、氟乙醚或全氟乙 醚基团; r及r'各独立为0至20之整数;对每一(CsH2sO)之s系独立 为1至10之整数;t为1至6之整数;及p为0至4之整数; Rh为1至10个碳原子之直链或支链烷基; -CHF*表示非对掌中心; v为2至10之整数及w为0或1之整数,但v+w至少为3; 其中一或多个非毗邻之-CH2-基团可经氧原子取代, 且其中一或多个环氢原子可经氟原子取代。2.如 申请专利范围第1项之化合物,其中Rf基团系由式- CqF2qX'表示,其中q系为整数1至20,而X'系为氢或氟。3 .如申请专利范围第1项之化合物,其中Rf基团系由 式(CxF2xO)ZCYF2Y+1所表示之基团,其中x就(CxF2xO)而言 个别系为整数1至12,y系为整数1至12,而z系为整数1 至10。4.如申请专利范围第1项之化合物,其中该( 1nelectric)/Y之图的斜率系大于 -0.03。5.根据申请专利范围第1项之化合物,其中当 温度系由近晶型A降低近晶型C转化温度时,该化合 物之极化(Ps)値系由正切换成负(+至-),或负切换成 正(-至+)。6.一种液晶装置,其含有至少一种如申请 专利范围第1至5项任一项之化合物。7.如申请专利 范围第6项之装置,其中当温度系由近晶型A降低近 晶型C转化温度时,该化合物之极化(Ps)値系由正切 换成负(+至-),或负切换成正(-至+)。8.一种液晶化 合物之混合物,其包括至少一种如申请专利范围第 1至5项任一项之化合物。9.根据申请专利范围第8 项之混合物,其进一步包括至少一种其他具有至少 一氟化末端部分之液晶化合物。10.一种三稳态液 晶装置,其含有至少一种如申请专利范围第1至5项 任一项之化合物。11.一种三稳态液晶装置,其包括 (a)第一及第二相对基板,至少一片上具有一校准涂 层,而各具有至少一电极,以界定一或多个像素;(b) 一倾斜近晶型或诱导倾斜近晶型液晶组合物其放 置于该基板之间;及(c)一对正交放置之偏光板,各 具有一偏光轴,一该偏光轴系与该液晶组合物之一 倾斜近晶型或诱导倾斜半导体中间相之零电场光 轴校准;其中该基板系放置成提供该液晶组合物之 一校准,该组合物包括至少一种含氟之对掌性液晶 化合物,其中该化合物可由下式表示: 其中:D系为无向性,而系个别选自包括下列之群: 一共价键结 及其组合; Rf为非对掌氟烷基、全氟烷基、氟乙醚或全氟乙 醚基团; r及r'各独立为0至20之整数;对每一(CsH2SO)之s系独立 为1至10之整数;t为1至6之整数;及p为0至4之整数; Rh为1至10个碳原子之直链或支链烷基; -CHF*表示非对掌中心; v为2至10之整数及w为0或1之整数,但v+w至少为3; 其中一或多个非毗邻之-CH2-基团可经氧原子取代, 且其中一或多个环氢原子可经氟原子取代。12.一 种降低降低液晶混合物之响应时间的相依性之方 法,包括结合以下化合物之步骤: (a)至少一种化合物,其包括(i)一非对掌性氟化学末 端部分,其包括一末端氟烷基、氟醚基、全氟烷基 、或全氟醚基;(ii)一对掌性末端部分,包括一个具 有一对掌性中心之饱和或不饱和对掌性烃基或对 掌性烃醚基;及(iii)一连接各该末端部分之中心核; 该对掌性末端部分于该对掌性中心及该中心核间 具有至少三个链上原子;及 (b)至少一种其他液晶组合物,包含至少一种近晶型 或潜在近晶型液晶组合物,当在一装置中时具有温 度相依性切换。13.根据申请专利范围第12项之方 法,其中该温度相依性切换之化合物(b)具有斜率较 -0.02偏向负値。图式简单说明: 第一图及第二图系显示本发明化合物之极化(Ps)的 温度相依性。 第三图系显示本发明化合物之切换速度electric 的温度相依性。 第四图及第五图系显示本发明特定化合物之三稳 态切换性质。 |
