发明名称 | 有源融断器应用电子回路 | ||
摘要 | 本发明系针对功率控制用电子回路各种异常状况的发生,提供一种有源融断器应用电子回路,以解决异常状况之发生,由于功率控制用电子回路的应用,伴随着科技的迅速发展和普及越来越成为结合PC必不可缺少的构件,但从其发展角度看,该功率控制用电子回路的广泛应用,需由专家运用共专有知识,谨慎使用,确保其安全性;本发明有源融断器应用电子回路,是具有高可靠性的保护回路,使该功率控制用电子回路发生瞬间异常状态时,该有源融断器应用电子回路会使系统整体停止工作而降低导致火灾发生的可能性,通常这样高可靠性的保护回路,将导致成本上的提高,本发明之SSR(有源融断器应用电子回路),就是关于这种能兼顾高可靠性与成本低的矛盾性之安全保护装置,且可以适应各式各样异常状态故障事件的发生。 | ||
申请公布号 | TW471206 | 申请公布日期 | 2002.01.01 |
申请号 | TW089105080 | 申请日期 | 2000.03.20 |
申请人 | 普罗强生半导体股份有限公司 | 发明人 | 陈庆丰 |
分类号 | H02H3/06;H02H3/08 | 主分类号 | H02H3/06 |
代理机构 | 代理人 | 李宜光 台北巿金山南路二段十二号三楼之四 | |
主权项 | 一种有源融断器应用电子回路,其系由二电阻、一 n通道空乏型MOSFET(金属氧化物半导体场效电晶体) 及一p通道空乏型MOSFET(金属氧化物半导体场效电 晶体)所串连组合而成,其特征在于: 该a点接一电阻至一p通道空乏型MOSFET金属氧化物 半导体场效电晶体)之闸极,且a点接至该n通道空乏 型MOSFET(金属氧化物半导体场效电晶体)之源极,又 该n通道空乏型MOSFET(金属氧化物半导体场效电晶 体)之闸极接一电阻至c点,该p通道空乏型MOSFET金属 氧化物半导体场效电晶体)之泄极及n通道空乏型 MOSFET(金属氧化物半导体场效电晶体)之泄极都接 至b点,最后再将该p通道空乏型MOSFET(金属氧化物半 导体场效电晶体)之源极接至c点,为有源融断器应 用电子回路之电路结构,常用于功率控制用电子回 路。图式简单说明: 第一图系为有源融断器应用功率控制用电子回路 之结构示意图。 第二图之一系为SSR(有源融断器应用电子回路)之 结构电路图。 第二图之二系为Ia-c(a点至c点之电流)与Va-b(a点至b 点之电压)特性曲线图。 第二图之三系为Ia-c(a点至c点之电流)与Vg(闸极电 压)关系示意图。 | ||
地址 | 基隆市大武仑工业区武训街四十五号 |