| 发明名称 |
METHOD FOR FORMING CAPACITOR USING THERMAL PROCESS OF HIGH PRESSURE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
KR20010113111(A) |
申请公布日期 |
2001.12.28 |
| 申请号 |
KR20000033235 |
申请日期 |
2000.06.16 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. |
发明人 |
HORIE HIDEKI |
| 分类号 |
H01L21/8242;(IPC1-7):H01L21/824 |
主分类号 |
H01L21/8242 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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