| 摘要 |
<p>본 발명은 자기 정합 방식으로 콘택트를 설치하는 경우에 적당한 구조를 갖는 반도체 장치에 대해, 콘택트를 안정적으로 형성하고, 또한 콘택트의 접촉 저항을 억제하는 데에 적당한 구조를 실현하는 것을 목적으로 한다. 실리콘 기판(10) 위에 산화막(26)을 형성한다. 산화막(26) 위에 배선 패턴(34)을 형성한다. 배선 패턴의 상부 및 측부에 질화막 상부벽(36) 및 질화막 측벽(38)을 형성한다. 층간 산화막(40)을 퇴적시킨 후 자기 정합법에 따라 콘택트 홀(42)을 형성한다. 질화막 측벽(38)의 하부에서, 산화막(26)의 측단부(32)가 후퇴하도록 등방성의 에칭을 행한다. 상기된 등방성 에칭에 의해 하단부의 지름이 확대된 콘택트 홀(42)의 내부에 콘택트(44)를 형성한다.</p> |
