VERTICAL TRANSISTOR COMPRISING A MOBILE GATE AND A METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF

摘要

Vorgeschlagen wird ein aus einem Halbleiterwafer (1) gefertigter Vertikal-Feldeffekttransistor, mit einem Resttransistor bestehend aus einem Source Bereich (42), einem Kanalgebiet (3) und einem Drain (1) Bereich sowie einer mittels mindestens einer flexiblen Aufhängung (7) vor dem Kanalgebiet (3) beabstandet angeordneten beweglichen Gatestruktur (8), dadurch gekennzeichnet, dass die bewegliche Gatestruktur (8) aus dem Material des Halbleiterwafers (1) besteht. Die Aufhängungen (7) der beweglichen Struktur (8) haben bevorzugt ein grosses Verhältnis von Höhe zu deren Breite, wodurch das bewegliche Gate (8) sich bevorzugt in der Waferebene bewegen kann (15).