发明名称 逆变器电路装置
摘要 本发明提出了一个整流器电路装置。在这一装置中,可控硅晶闸管可被直接驱动,反向并联二极管的反向电流特性具有的dV/dt值从2KV/μs至10KV/μs,在直流电源和可控硅晶闸管之间设有一个低电感自振荡电路,因此在没有保护电路的情况下可控硅晶闸管和反向并联二极管均能工作。$#!
申请公布号 CN1076901C 申请公布日期 2001.12.26
申请号 CN96114596.X 申请日期 1996.11.22
申请人 亚瑞亚·勃朗勃威力有限公司 发明人 H·格吕宁;J·雷斯
分类号 H02M7/519;H02M7/48 主分类号 H02M7/519
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 王勇;萧掬昌
主权项 1.一种逆变器电路装置,包含至少一个支路,该支路包含一个偶数串联连接的门极可关断晶闸管(GT01、GT02)和与晶闸管(GT01、GT02)反向并联的反向并联二极管(D1、D2),其中,该支路或各个支路均与一直流电源(Uzk)相接,并且该支路或各个支路的中间共用节点构成负载接口,其特征在于,-门极可关断晶闸管(GT01、GT02)被直接驱动,即,阳极电流(IA)与最大的栅极电压(IGpeak)之比IA/IGpeak小于或等于1,并且栅极电流快速上升,其最大值(IGpeak)可在小于或等于1μs的上升时间(tr)内达到;-选择各个门极可关断晶闸管(GTO)驱动电路的总电感(LG)足够小,使LG≤VGR/(IGpeak/tr)得以成立,其中,VGR相当于栅极的反向截止电压;-在直流电源和门极可关断晶闸管(GT01、GT02)串联电路之间设有自振荡电路(2);并且-反向并联二极管具有其电压变化率dV/dt为2KV/μs至10KV/μs的反向电流特性。
地址 瑞士巴登