制备光电探测器的方法

摘要

一种制备光电探测器的方法。采用特殊版图设计,宽引线铝覆部分场区,氯离子处理炉管,在有氢气氛的低温炉中退火,慢降温和磷吸杂工艺。经此方法制备的光电探测器反向击穿高,暗电流小,结电容小,响应速度快,光谱响应范围广,参数优异并稳定。可广泛应用于光电探测器的制备领域。

主权项

1.一种制备光电探测器的方法，其步骤包括：1)设计光电探测器单元版图，2)生长氧化硅：升炉温到1000℃以上，通氧气2-10分钟；同时通入氧气和氮气不短于10分钟，生长氧化硅；在炉管水汽氧化2-3小时；然后干氧生长20-30分钟，然后通氮断氧，生长800纳米以上厚度的氧化硅；将炉管慢降温；取出硅片；3)背面扩磷：用胶保护硅片正面，腐蚀掉背面氧化层，然后背面扩磷：4)光刻有源区；5)浅结注入硼；6)退火；7)光刻引线孔；8)溅射铝引线，得到光电探测器芯片。