制备锑化镓基半导体器件用的化学腐蚀液体系

摘要

本发明涉及制备锑化镓基半导体器件用的化学腐蚀液体系。包括盐酸系、氢氟酸系和酒石酸盐系三种。盐酸系腐蚀液为盐酸、酒石酸和双氧水;氢氟酸系腐蚀液为氢氟酸、酒石酸和双氧水;酒石酸盐系腐蚀液为酒石酸钾钠、盐酸、和双氧水。这三种腐蚀液不会破坏光刻胶掩膜,能应用于GaSb、AlGaAsSb、InGaAsSb等二元和四元系Ⅲ－Ⅴ族锑化合物的台面腐蚀,腐蚀速率可控,且小于1μm/min,与器件工艺兼容。

主权项

1.一种制备锑化镓基半导体器件用的化学腐蚀液体系，其特征在于它包括盐酸系、氢氟酸系和酒石酸盐系三种。