发明名称 形状记忆合金表面绝缘膜的原位制备方法及其所制备的绝缘膜
摘要 一种形状记忆合金表面绝缘膜的原位制备方法及其所制备的绝缘膜,该绝缘膜的物相组成以二氧化钛和氧化钛为主,最大电阻为8.1*10#+[5]Ω~8.4*10#+[5]Ω,击穿电压为20~24V,膜与基体结合牢固。其步骤是:(1)将镍钛形状记忆合金试样材料用砂纸去除表面氧化层并抛光处理;(2)将配置好的20%~30%(重量)NaOH、5%~10%(重量)NaNO2、75%~60%(重量)蒸溜水、其pH值:为10~14的反应液和试件放到反应釜中,并将盖子拧紧;(3)将反应釜放入加热炉,在160~240℃保温8~14小时;(4)取出试件,测试性能。$#!
申请公布号 CN1076763C 申请公布日期 2001.12.26
申请号 CN98117686.0 申请日期 1998.09.09
申请人 北京航空航天大学 发明人 徐惠彬;宫声凯;刘福顺;蒋成保
分类号 C23C22/60 主分类号 C23C22/60
代理机构 北京永创新实专利事务所 代理人 唐爱华;周长琪
主权项 1、一种形状记忆合金表面绝缘膜的原位制备方法,其特征在于:该方法的步骤如下:(1)将镍钛形状记忆合金试样材料用细砂纸去除表面氧化层并进行抛光处理;(2)将配置好的20%~30%重量NaOH、5%~10%重量NaNO2、75%~60%重量蒸溜水、其酸碱度PH值为10~14的反应液和试件放到反应釜中,并将反应釜的盖子拧紧;(3)将反应釜放入加热炉中,在160~240℃保温8~14小时;以此水热合成法达到原位制备该绝缘膜的目的;(4)将试件取出,测试性能。
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