发明名称 | 旋转型半导体晶片处理装置和半导体晶片处理方法 | ||
摘要 | 本发明的半导体晶片处理装置包含处理半导体晶片的N(大于1的正整数)个工艺腔,以彼此间隔360/N度环形均布,且被支撑起围绕一圆心旋转;至少一对将半导体晶片送进/出N个工艺腔之一中的彼此间隔360M/N度环形均布的晶片传递装置,其中1≤M≤(N-1)的正整数;一将其中任何两个工艺腔旋转以面对晶片传递装置的驱动装置。本发明的装置不会导致半导体晶片等待处理的现象而增加了生产量。$#! | ||
申请公布号 | CN1076867C | 申请公布日期 | 2001.12.26 |
申请号 | CN96110013.3 | 申请日期 | 1996.05.31 |
申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 东久美子 |
分类号 | H01L21/30;B65G49/07 | 主分类号 | H01L21/30 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 萧掬昌;张志醒 |
主权项 | 1.一种半导体晶片处理装置,包括用来进行半导体晶片处理的N个工艺腔,这里N是一个大于一的正整数,所说的N个工艺腔被放置在具有第一直径的圆上且彼此间隔360/N度环形均布,其特征是:所说的N个工艺腔被支撑起绕所说的圆的中心旋转;至少一对用来将一半导体晶片送进所说的N个工艺腔之一中并将一半导体晶片从所说的N个工艺腔之一中取出的晶片传递装置,所说的晶片传递装置放置在一个具有大于所说第一直径的第二直径的圆上,所说的晶片传递装置彼此间隔环形均布,使得当所述N个工艺腔旋转时,每个所述晶片传递装置面对所述N个工艺腔中任意一个;一个用来围绕所说的中心旋转所说的N个工艺腔以使所说的N个工艺腔中的任两个工艺腔面对所说的晶片传递装置的驱动装置。 | ||
地址 | 日本东京都 |