| 摘要 |
<p>양방향 구조와 결합되고, 좌표의 원점을 통해 선형 전류-전압특성을 얻는 반도체장치가 개시되어 있다. 전형적인 장치는 p도핑된 기판(10) 상에 산화층(20)을 포함한다. 이 산화층의 상부에는 세로방향의 n-드리프트영역을 형성하는 n-형 드리프트영역(30)이 생성되어 있다. n-드리프트영역은, 각 단부에 약하게 도핑된 p-형 웰(32)을 가지고 있는데, 그 p-형 웰은, 소오스 또는 드레인전극(35) 각각에 대한 접촉을 구성하는, 강하게 도핑된 p반도체재료로 된 부분(31)을 가진다. p-형 웰(32) 각각은, 추가적으로 n영역(33)과 상기 p-형 웰의 상부에 게이트전극(34)을 가짐으로써, n로 도핑된 영역(33)은, 게이트와 드레인전극 사이, 또는 게이트와 소오스전극 사이 각각의 p-형 웰(32)에 위치한다. 따라서, 공통 드리프트영역을 가지는 양방향 이중 DMOS구조가 생성된다.</p> |
