| 摘要 |
<p>게이트산화막의 열화를 방지하여 그 특성을 향상시키기에 알맞은 반도체소자의 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 이와 같은 목적을 달성하기 위한 반도체소자의 제조방법은 필드영역과 제 1, 제 2 액티브영역이 정의된 반도체기판의 필드영역에 필드절연막을 형성하는 공정, 상기 제 1, 제 2 액티브영역에 각각 제 1 절연막을 형성하는 공정, 상기 제 1 액티브영역의 상기 제 1 절연막을 제거하는 공정, 상기 제 2 액티브영역의 상기 제 1 절연막을 일정두께 식각하는 공정, 상기 제 1, 제 2 액티브영역에 각각 제 1 게이트절연막과 제 2 절연막을 형성하는 공정, 상기 반도체기판 전면에 제 1 반도체층을 형성하는 공정, 상기 제 2 액티브영역의 가장자리 부분에만 산소이온을 주입한 후 열처리하여 제 2 액티브영역에 모든 부분의 두께가 균일한 제 2 게이트절연막을 형성하는 공정을 포함함을 특징으로 한다.</p> |
