| 摘要 |
<p>본 발명은 커패시터의 제조방법에 관한 것으로서 게이트전극 및 불순물영역을 포함하는 트랜지스터가 형성된 반도체기판 상에 층간절연층을 형성하는 공정과, 상기 층간절연층을 선택식각하여 상기 불순물영역을 노출시키는 제 1 접촉홀을 형성하고 상기 접촉홀 내에 플러그를 형성하는 공정과, 상기 층간절연층 상에 희생층을 형성하고 상기 플러그가 노출되도록 패터닝하여 제 2 접촉홀을 형성하는 공정과, 상기 제 2 접촉홀의 내부 표면에 반도체층을 형성하고 상기 희생층을 제거하는 공정과, 상기 반도체층을 결정화하면서 표면에 돌출부를 형성하고 상기 다결정실리콘층의 표면에 형성된 자연산화막을 H가스를 공급하여 실리콘으로 환원시켜 제거하는 공정과, 상기 다결정실리콘층에 불순물을 고농도로 도핑하여 하부전극을 형성하는 공정을 구비한다. 따라서, 자연산화막을 H가스를 흘려 환원시켜 제거하므로 반구형(hemispical grain)의 돌출부가 세정 공정 중에 부러지거나 떨어지지 않아 인접하는 커패시터의 하부전극과 단락되는 것을 방지한다.</p> |
