| 摘要 |
<p>본 발명은 모놀리식 세라믹 전자 부품의 각 내부 전극을 두께 0.2㎛ 내지 0.7㎛로 박층화하며, 이에 의해 세라믹 층들을 두께 3㎛ 이하로 박층화하는 경우에도 얇은 조각으로 갈라지는 디래미네이션(delamination)의 발생을 억제한다. 내부 전극들과 세라믹 층들 사이의 계면에서 형성되는 오목함과 볼록함을 감소시키기 위하여, 세라믹 층의 세라믹 그레인들의 평균 입자 크기는 0.5㎛ 이하가 된다. 내부 전극을 형성하기 위한 페이스트 내의 금속 분말의 평균 입자 크기는 10㎚ 내지 200㎚로 형성되는 것이 바람직하며, 이에 의해 금속 충만률과 내부 전극의 평탄성을 증가시키고 커버리지(coverage)를 향상시킨다.</p> |
