| 主权项 |
1.一种辅助图案的形成方法,该方法至少包含下列步骤:提供一具有复数个原始图案之半导体线路图案;分别于该复数个原始图案彼此之间形成具有一第一线宽之一第一辅助图案;膨胀该第一辅助图案之该第一线宽以形成具有一第二线宽之一第二辅助图案;与对该第二辅助图案进行一图案转换制程以形成一具有一第三线宽之一第三辅助图案与具有一第四线宽之一第四辅助图案。2.如申请专利范围第1项所述之形成方法,其中上述之半导体线路图案至少包含一半密集区。3.如申请专利范围第1项所述之形成方法,其中上述之复数个原始图案相互平行且实质上等距间隔。4.如申请专利范围第1项所述之形成方法,其中上述之第一辅助图案的形成至少包含一电路设计规格检验。5.如申请专利范围第1项所述之形成方法,其中上述之第二辅助图案的形成至少包含一电脑辅助设计。6.如申请专利范围第1项所述之形成方法,其中上述之第二线宽大于该第三线宽。7.如申请专利范围第1项所述之形成方法,其中上述之第二线宽大于该第四线宽。8.一种光学校正图案的形成方法,该方法至少包含一下列步骤:提供一具有复数个原始图案之半密集区图案;该复数个原始图案彼此之间形成具有一第一线宽之一第一辅助图案;藉由一电脑辅助设计推算该半密集区图案之一必需修正图案;膨胀该必需修正图案之该第一辅助图案之该第一线宽以形成具有一第二线宽之一第二辅助图案;对该第二辅助图案进行一图案转换制程以形成一具有一第三线宽之一第三辅助图案与具有一第四线宽之一第四辅助图案;与对该半密集区图案进行一光学邻近校正法以形成复数个光学校正图案。9.如申请专利范围第8项所述之形成方法,其中上述之复数个原始图案相互平行且实质上等距间隔。10.如申请专利范围第8项所述之形成方法,其中上述之第二线宽大于该第三线宽。11.如申请专利范围第8项所述之形成方法,其中上述之第二线宽大于该第四线宽。12.一种辅助图案的形成方法,该方法至少包含下列步骤:提供一具有复数个原始图案之半导体线路图案;处理该复数个原始图案以形成一非半密集区图案与一半密集区图案;找出该半密集区图案;分别于该半密集区图案中之该复数个原始图案彼此之间形成具有一第一线宽之一第一辅助图案;膨胀该第一辅助图案之该第一线宽以形成具有一第二线宽之一第二辅助图案;与对该第二辅助图案进行一图案转换制程以形成一具有一第三线宽之一第三辅助图案与具有一第四线宽之一第四辅助图案。13.如申请专利范围第12项所述之形成方法,其中上述之复数个原始图案相互平行且实质上等距间隔。14.如申请专利范围第12项所述之形成方法,其中上述之半密集区图案系藉由电路设计规格检验判断。15.如申请专利范围第12项所述之形成方法,其中上述之第二辅助图案的形成至少包含一电脑辅助设计。16.如申请专利范围第12项所述之形成方法,其中上述之第二线宽大于该第三线宽。17.如申请专利范围第12项所述之形成方法,其中上述之第二线宽大于该第四线宽。18.一种光学校正图案的形成方法,该方法至少包含下列步骤:提供一具有复数个原始图案之半导体线路图案;处理该复数个原始图案以形成一非半密集区图案与一半密集区图案;藉由电路设计规格检验判断出该半密集区图案;分别于该半密集区图案中之该复数个原始图案彼此之间形成具有一第一线宽之一第一辅助图案;藉由一电脑辅助设计推算该半密集区图案之一修正图案;膨胀该修正图案之该第一辅助图案以形成具有一第二线宽之一第二辅助图案;对该第二辅助图案进行一图案转换制程以形成一具有一第三线宽之一第三辅助图案与具有一第四线宽之一第四辅助图案;与对该半密集区图案进行一光学邻近校正法以形成复数个光学校正图案。19.如申请专利范围第18项所述之形成方法,其中上述之复数个原始图案相互平行且实质上等距间隔。20.如申请专利范围第18项所述之形成方法,其中上述之第二线宽大于该第三线宽。21.如申请专利范围第18项所述之形成方法,其中上述之第二线宽大于该第四线宽。22.一种辅助图案的形成方法,该方法至少包含下列步骤:提供一具有复数个原始图案之半导体线路图案;于该半导体线路图案中,找出一半密集区图案,该半密集区图案具有一第一原始图案、一第二原始图案与一第三原始图案;选定该第二原始图案当成一修正图案;膨胀该修正图案以形成一具有一第一线宽之第一辅助图案;与对该第一辅助图案进行一图案转换制程以形成一具有一第二线宽之第二辅助图案与一具有一第三线宽之第三辅助图案。23.如申请专利范围第22项所述之形成方法,其中上述之复数个原始图案相互平行且实质上等距间隔。24.如申请专利范围第22项所述之形成方法,其中上述之半密集区图案系藉由电路设计规格检验判断。25.如申请专利范围第22项所述之形成方法,其中上述之修正图案的形成至少包含一电脑辅助设计。26.如申请专利范围第22项所述之形成方法,其中上述之第一线宽大于该第二线宽。27.如申请专利范围第22项所述之形成方法,其中上述之第一线宽大于该第三线宽。28.一种光学校正图案的形成方法,该方法至少包含下列步骤:提供一半导体线路图案;于该半导体线路图案中,藉由电路设计规格检验判断出一具有一第一原始图案、一第二原始图案一第三原始图案之半密集区图案;藉由电脑辅助设计选定该第二原始图案当成一修正图案并膨胀该修正图案以形成一具有一第一线宽之第一辅助图案;对该第一辅助图案进行一图案转换制程以形成一具有一第二线宽之第二辅助图案与一具有一第三线宽之第三辅助图案;与对该半密集区图案进行一光学邻近校正法以形成复数个光学校正图案。29.如申请专利范围第28项所述之方法,其中上述之第一原始图案、该第二原始图案与该第三原始图案相互平行且实质上等距间隔。30.如申请专利范围第28项所述之方法,其中上述之第一线宽大于该第二线宽。31.如申请专利范围第28项所述之方法,其中上述之第一线宽大于该第三线宽。图式简单说明:第一图A至第一图D为习知的光学微影制程之光学邻近校正法(OPC)的剖面结构示意图;第二图A与第二图B为习知的光学微影制程之辅助图形的剖面结构示意图;第三图A为说明本发明之较佳实施例的流程图;与第三图B至第三图D为说明本发明之较佳实施例中的半密集区之辅助图案制程的剖面结构示意图。 |
