形成半导体元件之双井区的方法

摘要

一垫氧层形成于一底材上，其中，垫氧层的厚度约大于250A。藉由一传统之微影方法选择性地图案转移一对准光阻层以定义一N井区。藉由对准光阻图案当成一罩幕并使用蚀刻的方法将垫氧层部分蚀刻直到垫氧层的厚度约为100A为止以形成一对准标记。藉由对准光阻图案当成一罩幕并进行N型离子植入以形成一N型掺杂区于底材中。然后，去除对准光阻层。定义且形成一P井区光阻层于垫氧层上，然后藉由P井区光阻层当成一罩幕并进行一P型离子植入，其经由垫氧层进入底材中以形成一P型掺杂区。然后，移除P井区光阻层且继续进行驱入制程以形成N井区与P井区。

主权项

1.一种形成一双井区的对准方法,该方法至少包含下列步骤:提供一半导体底材;形成一氧化层于该半导体底材上;图案转移一第一光阻层于该氧化层上以定义一第一井区;藉由该第一光阻层当成一罩幕,蚀刻该氧化层之部分厚度,用以当成一对准标记;藉由该第一光阻层当成一罩幕与该蚀刻氧化层当成该对准标记,进行一第一离子植入程序以形成一第一掺杂区于该半导体底材内;移除该第一光阻层;图案转移一第二光阻层于该蚀刻氧化层上与该氧化层上之一预定部分以定义一第二井区;藉由该第二光阻层当成一罩幕,进行一第二离子植入程序并经由该氧化层进入该半导体底材以形成一第二掺杂区于该半导体底材内;移除该第二光阻层;与进行一用于活化该第一掺杂区与该第二掺杂区之驱入程序以形成一双井区于该半导体底材内。2.如申请专利范围第1项所述之对准方法,其中上述之第一离子植入程序至少包含一N型离子。3.如申请专利范围第1项所述之对准方法,其中上述之第二离了植入程序至少包含一P型离子。4.如申请专利范围第1项所述之对准方法,其中上述之驱入程序系为一热制程。5.一种形成具有一双井区之一半导体元件的方法,该方法至少包含下列步骤:提供一半导体底材;形成一第一氧化层于该半导体底材上;图案转移一第一光阻层于该第一氧化层上以定义一第一井区;藉由该第一光阻层当成一罩幕,蚀刻该第一氧化层之部分厚度,用以当成一对准标记;藉由该第一光阻层当成一罩幕与该蚀刻第一氧化层当成该对准标记,进行一第一离子植入程序以形成一第一掺杂区于该半导体底材内;移除该第一光阻层;图案转移一第二光阻层于该蚀刻第一氧化层上与该第一氧化层上之一预定部分以定义一第二井区;藉由该第二光阻层当成一罩幕,进行一第二离子植入程序并经由该第一氧化层进入该半导体底材以形成一第二掺杂区于该半导体底材内;移除该第二光阻层;进行一用于活化该第一掺杂区与该第二掺杂区之驱入程序以形成该第一井区于该第二井区;沿着该第一氧化层与该蚀刻第一氧化层的表面形成一第一氮化层;图案转移一第三光阻层于该第一井区与该第二井区之该第一氮化层上以分别于该第一井区与该第二井区上定义一第一主动区与一第二主动区;藉由该第三光阻层当成一蚀刻罩幕,蚀刻该第一氮化层以分别于该第一井区与该第二井区上形成一第二氮化层与一第三氮化层;移除该第三光阻层;形成一第二氧化层于该第二氧化层于该第二氮化层与该第三氮化层之间;与移除该第二氮化层该第三氮化层以形成一具有一双井区之半导体元件。6.如申请专利范围第5项所述之方法,其中上述之蚀刻第一氧化层的形成系使用一缓冲氧化蚀刻法。7.如申请专利范围第5项所述之方法,其中上述之第一离子植入程序至少包含一N型离子。8.如申请专利范围第5项所述之方法,其中上述之第二离子植入程序至少包含一P型离子。9.如申请专利范围第5项所述之方法,其中上述之第二氮化层的形成至少包含一反应离子蚀刻法。10.如申请专利范围第5项所述之方法,其中上述之第三氮化层的形成至少包含一反应离子蚀刻法。11.如申请专利范围第5项所述之方法,其中上述之驱入程序系为一热制程。12.一种形成具有一双井区之一半导体元件的方法,该方法至少包含下列步骤:提供一半导体底材;形成一厚度约大于250埃之一第一氧化层于该半导体底材上;图案转移一第一光阻层于该第一氧化层上以定义一第一井区;藉由该第一光阻层当成一罩幕,蚀刻该第一氧化层之部分厚度直到厚度约为100埃为止,用以当成一对准标记;藉由该第一光阴层当成一罩幕与该蚀刻第一氧化层当成该对准标记,进行一第一离子植入程序以形成一第一掺杂区于该半导体底材内;移除该第一光阻层;图案转移一第二光阴层于该蚀刻第一氧化层上与该第一氧化层上之一预定部分以定义一第二井区;藉由该第二光阻层当成一罩幕,进行一第二离子植入程序并经由该第一氧化层进入该半导体底材以形成一第二掺杂区于该半导体底材内;移除该第二光阻层;进行一用于活化该第一掺杂区与该第二掺杂区之驱入程序以形成该第一井区与该第二井区;沿着该第一氧化层与该蚀刻第一氧化层的表面形成一第一氮化层;图案转移一第三光阻层于该第一井区与该第二井区之该第一氮化层上以分别于该第一井区与该第二井区上定义一第一主动区与一第二主动区;藉由该第三光阻层当成一蚀刻罩幕,蚀刻该第一氮化层以分别于该第一井区与该第二井区上形成一第二氮化层与一第三氮化层;移除该第三光阻层;形成一第二氧化层于该第二氮化层与该第三氮化层之间;与移除该第二氮化层与该第三氮化层以形成一具有一双井区之半导体元件。13.如申请专利范围第12项所述之方法,其中上述之蚀刻第一氧化层的形成至少包含一缓冲氧化蚀刻法。14.如申请专利范围第12项所述之方法,其中上述之第一离子植入程序至少包含一磷离子。15.如申请专利范围第12项所述之方法,其中上述之第二离子植入程序至少包含一硼离子。16.如申请专利范围第12项所述之方法,其中上述之第二氮化层的形成至少包含一反应离子蚀刻法。17.如申请专利范围第12项所述之方法,其中上述之第三氮化层的形成至少包含一反应离子蚀刻法。18.如申请专利范围第12项所述之方法,其中上述之驱入程序系为一热制程。图式简单说明:第一图A至第一图D为说明传统半导体元件中不具有任何对准标记之双井区的制程剖面图;第二图A至第二图F为说明传统半导体元件中具有对准标记之双井区的制程剖面图;第三图A至第三图E为说明传统半导体元件中具有当成对准标记之第零沟槽的双井区之制程剖面图;与第四图A至第四图E为说明根据本发明之一实施例所制造的具有双井区之半导体元件的制程剖面图。