| 主权项 |
1.一种大电流比例之电流输出电路系藉由一电流镜电路连接一固定电压源与一电流源,提供积体电路所需之稳定大电流,其中该固定电压源提供一参考电压予该电流镜电路并配合该电流源使得该电流镜可正常工作,如此可使得该电流镜输出电流値大小与该参考电压的平方成正比。2.如申请专利范围第1项所述之一种大电流比例之电流输出电路,其中该电流镜包括有第一MOS电晶体与第二MOS电晶体,该二电晶体的闸极互相耦合在一起,该第一MOS电晶体的汲极并与闸极耦合连接至该电流源,而源极则接至固定电压源:该第二MOS电晶体经由汲极供给(source)或吸入(sink)一定电流。3.如申请专利范围第2项所述之一种大电流比例之电流输出电路中,该第一MOS电晶体与该第二MOS电晶体系为N通道之MOS电晶体。4.如申请专利范围第2项所述之一种大电流比例之电流输出电路中,该第一MOS电晶体与该第二MOS电晶体系为P通道之MOS电晶体。5.如申请专利范围第2项所述之一种大电流比例之电流输出电路中,该第二MOS电晶体之临界电压系与该第一MOS电晶体之临界电压相同。6.一种大电流比例之电流输出电路系藉由下列原件之组成而能够对外部应用电路供给(source)或吸入(sink)一稳定之电流,其中包括有:一电流镜电路,系利用对称电晶体制作之比例电流源电路,其中于对称电晶体间透过一缓冲器耦合信号;一固定电压源,提供该电流镜所需之一参考电压;一电流源,提供该电流镜所需之一小电流。7.如申请专利范围第6项所述之一种大电流比例之电流输出电路,其中该电流镜包括有第一MOS电晶体与第二MOS电晶体,该二电晶体的闸极透过一缓冲器耦合在一起,该第一MOS电晶体的汲极并与闸极耦合连接至该电流源,而源极则接至固定电压源以获得一参考电压:该第二MOS电晶体经由汲极供给(source)或吸入(sink)与该参考电压平方成正比之一定电流。8.如申请专利范围第7项所述之一种大电流比例之电流输出电路,其中该MOS电晶体系为N通道之MOS电晶体。9.如申请专利范围第7项所述之一种大电流比例之电流输出电路,其中该MOS电晶体系为P通道之MOS电晶体。图式简单说明:第一图系为一种习用技术之电路示意图;第二图系为一种习用技术之电路示意图;第三图系为一种习用技术之电路示意图;第四图系为本创作第一实施例之电路示意图;第五图系为本创作第二实施例之电路示意图;第六图A-第六图C系为本创作实施例之实验数据;第七图系为本创作之输出结果与习用技术之输出结果的实验比较图; |
