发明名称 湿式蚀刻方法及装置
摘要 [目的]提供一种湿式蚀刻方法及装置,其系可使微细图案,由湿式蚀刻形成者。[构成]在大气中对即将蚀刻处理之前的基板照射紫外线。对于由紫外线的照射而处于被加热后状态的基板处理做湿式蚀刻处理。紫外线是用由受激准分子灯管所产生的中心波长172nm之受激准分子光线,使用受激准分子光线时,在大气中短时间的照射,可使残留在基板表面的有机物质氧化分解。同时,该基板会被预热到适合于湿式蚀刻之30~40℃。[选择图〕无。
申请公布号 TW469479 申请公布日期 2001.12.21
申请号 TW088107129 申请日期 1999.05.03
申请人 住友精密工业股份有限公司 发明人 栗野宪康;水川茂
分类号 H01L21/00 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人 何金涂 台北巿大安区敦化南路二段七十七号八楼
主权项 1.一种湿式蚀刻方法,其特征为包含:对于即将湿式蚀刻处理之前的基板,照射以172奈米(nm)波长为主体的紫外线之工程;及,对由于紫外线的照射而处于被加热后状态的基板,做湿式蚀刻处理之工程。2.如申请专利范围第1项之湿式蚀刻方法,其中,上述紫外线是由受激准分子灯管所产生的,中心波长为172nm之受激准分子光线。3.如申请专利范围第1或2项之湿式蚀刻方法,其中,上述紫外线的照射是在于大气的氛围中进行。4.如申请专利范围第1或2项之湿式蚀刻方法,其中,上述基板的加热温度是和蚀刻液相同程度之温度。5.如申请专利范围第3项之湿式蚀刻方法,其中,上述基板的加热温度是和蚀刻液相同程度之温度。6.一种湿式蚀刻装置,其系使用多个单元,以每次1片的对基板做蚀刻处理之扇叶式湿式蚀刻装置,其特征为;上述多个的单元系包含一套由其可产生中心波长为172nm的受激准分子光线之受激准分子灯管,对即将蚀刻处理之前的基板照射紫外线之紫外线照射单元。图式简单说明:第一图:适用于实施本发明的湿式蚀刻方法之蚀刻装置平面图。
地址 日本