| 主权项 |
1.一种低阻値复晶矽/金属闸极结构之制造方法,包括下列步骤:(a)于一矽基底上形成一第一绝缘层;(b)于该第一绝缘层上形成一复晶矽层;(c)退火该复晶矽层藉以形成一退火复晶矽层;(d)于该退火复晶矽层上形成一扩散障壁层;(e)于该扩散障壁层上形成一钨层;及(f)图案化该钨层、该扩散障壁层、该复晶矽层及该第一绝缘层,藉以定义一闸极结构。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该第一绝缘层是一厚度约50至150之氧化矽层,及该复晶矽层之厚度约500至1500。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该复晶矽层是在氮气气氛中退火,温度是设定在800至950℃之间,退火20至120分钟。4.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该复晶矽层是在氮气气氛中退火,温度是设定在800至950℃之间,退火20至120分钟。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,更包括于该钨层上形成一上盖层,且其中该图案化步骤(f),更包括图案化该上盖层,该上盖层包括一厚度约200至300之氧化层及一厚度约1000至2500之氮化矽层。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该扩散障壁层之形成是藉由于该退火复晶矽层上沉积厚度约30至60之钛;该钛再与该退火复晶矽层反应形成一矽化钛层,该反应是于550℃至700℃之间,进行30至120秒;及于该矽化钛层之上沉积一厚度约200至400之氮化钛层。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该扩散障壁层之形成是藉由于该退火复晶矽层上沉积一厚度约200至400之氮化钛层。8.一种低阻値复晶矽/金属闸极结构之制造方法,包括下列步骤:(a)于一矽基底上形成一第一绝缘层;(b)于该第一绝缘层上形成一复晶矽层;(c)退火该复晶矽层藉以形成一退火复晶矽层,该复晶矽层是在氮气气氛中退火,温度是设定在800至950℃之间,退火20至120分钟;(d)于该退火复晶矽层上沉积温度约30至60之钛;(e)该钛再与该退火复晶矽层反应形成一矽化钛层,该反应是于550℃至700℃之间,进行30至120秒;(f)于该矽化钛层之上沉积一厚度约200至400之氮化钛层,从而形成一由该矽化钛层及该氮化钛层所组成之扩散障壁层;(g)于该扩散障壁层上形成一钨层;及(h)图案化该钨层、该扩散障壁层、该复晶矽层及该第一绝缘层,藉以定义一闸极结构。9.如申请专利范围第8项所述之方法,其中,更包括于该钨层上形成一上盖层,且其中该图案化步骤(f),更包括图案化该上盖层;该上盖层包括一厚度约200至300之氧化层及一厚度约1000至2500之氮化矽层。10.如申请专利范围第8项所述之方法,其中,更包括:于该闸极结构两侧之矽基底位置形成淡掺杂源/汲极区;于该闸极结构之侧壁形成闸极绝缘间隔层;及于该闸极绝缘间隔层两侧之矽基底位置形成源/汲极区。11.如申请专利范围第9项所述之方法,其中,更包括:于该闸极结构两侧之矽基底位置形成淡掺杂源/汲极区;于该闸极结构之侧壁形成闸极绝缘间隔层;及于该闸极绝缘间隔层两侧之矽基底位置形成源/汲极区。12.如申请专利范围第8项所述之方法,其中,该第一绝缘层是一厚度约50至150之氧化矽层,及该复晶矽层之厚度约500至1500。13.如申请专利范围第11项所述之方法,其中,该第一绝缘层是一厚度约50至150之氧化矽层,及该复晶矽层之厚度约500至1500。14.一种低阻値复晶矽/金属闸极结构之制造方法,包括下列步骤:(a)于一矽基底上形成一第一绝缘层;(b)于该第一绝缘层上形成一复晶矽层;(c)退火该复晶矽层藉以形成一退火复晶矽层,该复晶矽层是在氮气气氛中退火,温度是设定在800至950℃之间,退火20至120分钟;(d)于该退火复晶矽层之上沉积一扩散障壁层,该扩散障壁层为一厚度约200至400之氮化钛层所组成;(e)于该扩散障壁层上形成一钨层;及(f)图案化该钨层、该扩散障壁层、该复晶矽层及该第一绝缘层,藉以定义一闸极结构。15.如申请专利范围第14项所述之方法,其中,更包括于该钨层上形成一上盖层,且其中该图案化步骤(f),更包括图案化该上盖层;该上盖层包括一厚度约200至300之氧化层及一厚度约1000至2500之氮化矽层。16.如申请专利范围第14项所述之方法,其中,更包括:于该闸极结构两侧之矽基底位置形成淡掺杂源/汲极区;于该闸极结构之侧壁形成闸极绝缘间隔层;及于该闸极绝缘间隔层两侧之矽基底位置形成源/汲极区。17.如申请专利范围第15项所述之方法,其中,更包括:于该闸极结构两侧之矽基底位置形成淡掺杂源/汲极区;于该闸极结构之侧壁形成闸极绝缘间隔层;及于该闸极绝缘间隔层两侧之矽基底位置形成源/汲极区。18.如申请专利范围第14项所述之方法,其中,该第一绝缘层是一厚度约50至150之氧化矽层,及该复晶矽层之厚度约500至1500。19.如申请专利范围第17项所述之方法,其中,该第一绝缘层是一厚度约50至150之氧化矽层,及该复晶矽层之厚度约500至1500。图式简单说明:第一图、第二图A、第二图B、第三图及第四图系显示依据本发明之实施例的制程顺序以制造应用在互补式金氧半导体元件上之低阻値复晶矽/金属闸极之剖面示意图。 |
